[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010985508.7
• 申請日: 2020-09-18
• 公開（公告）號: CN112531022A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 佐佐木健次;梅本康成;小屋茂樹;高橋新之助;近藤將夫
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/08;H01L23/34
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;王海奇

1.一種半導體裝置，具有：

至少一個子集電極層，設置于基板的表層部，具有導電性，在俯視時被絕緣性的區域圍起；

雙極晶體管，在俯視時配置于各個上述子集電極層的內部，在厚度方向上依次具備集電極層、基極層以及發射極層，上述集電極層與上述子集電極層連接；

發射極電極，俯視時在第一方向上具有較長的形狀，并配置于與上述發射極層重疊的位置，與上述發射極層電連接；

基極電極，俯視時在上述第一方向上具有較長的形狀，在與上述第一方向正交的第二方向上與上述發射極電極隔著間隔來配置，并與上述基極層電連接；

集電極電極，在俯視時，從上述發射極電極觀察，配置于上述第二方向的一側，而未配置于另一側，并經由上述子集電極層來與上述集電極層電連接；以及

基極布線，在上述基極電極的長度方向的兩端以外的部位與上述基極電極連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

從上述基極電極的在上述第一方向上的中心點到上述基極布線與上述基極電極的連接位置的在上述第一方向上的距離為上述基極電極的長度的1/4以下。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

在上述第一方向上的位置不同的至少2處部位，上述基極布線與上述基極電極連接。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其中，

在上述第二方向上排列配置有多個單元，上述多個單元分別包含上述子集電極層、上述雙極晶體管、上述發射極電極、上述基極電極、以及上述集電極電極，

還具有發射極凸塊，在俯視時，上述發射極凸塊與上述多個單元的上述發射極電極重疊，并與上述多個單元的上述發射極電極電連接。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

上述多個單元中的相互相鄰的2個單元具有上述集電極電極、上述發射極電極、以及上述基極電極的在上述第二方向上的排列順序相反的結構，

還具有集電極布線，上述集電極布線與上述多個單元的每一個單元的上述集電極電極連接，并從上述集電極電極沿上述第一方向引出，

與上述多個單元中的上述集電極電極彼此在上述第二方向上相鄰配置的2個單元的上述集電極電極連接的上述集電極布線被2個單元共享。

6.根據權利要求4或5所述的半導體裝置，其中，

上述基極布線包含：從與上述基極電極的連接位置沿上述第二方向引出的第一部分、以及從上述第一部分的前端沿上述第一方向延伸的第二部分，

在上述第二方向上相鄰的2個單元中，上述基極布線的上述第一部分從具有在上述第二方向上上述集電極電極配置于比上述基極電極靠外側的結構的2個單元的上述基極電極朝著相互接近的方向引出，上述基極布線的上述第二部分被2個單元共享。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其中，

上述基板是(100)GaAs基板，

上述第一方向是上述基板的[01－1]方向，

上述集電極層構成配置在上述基板上的臺面狀的集電極臺面，

在俯視時，上述基極布線與上述集電極臺面的平行于上述第一方向的邊緣交叉，并從上述集電極臺面的內側引出到外側。

8.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其中，

上述基板是(100)GaAs基板，

上述第一方向是上述基板的[011]方向，

上述集電極層包含于配置在上述基板上的臺面狀的集電極臺面，

在俯視時，上述基極布線在從與上述基極電極連接的位置沿上述第二方向引出之后，與上述集電極臺面的平行于上述第二方向的邊緣交叉，并從上述集電極臺面的內側引出到外側。