[發(fā)明專利]發(fā)光元件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010984325.3
• 申請(qǐng)日: 2016-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112234126A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂紹平;陳怡名;彭鈺仁;林俊宇;蔡均富;徐子杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/08
• 分類號(hào): H01L33/08;H01L27/15;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開(kāi)一種發(fā)光元件及其制造方法。發(fā)光元件包含載體、第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、反射層、第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及跨橋電極。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于載體上且包含第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，以及第一活性層形成于第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層之間。反射層位于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與載體之間。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于載體與反射層之間，且包含第二活性層以及第三半導(dǎo)體層，第三半導(dǎo)體層位于反射層與第二活性層之間且具有第一側(cè)表面。跨橋電極形成于第一側(cè)表面上。

本申請(qǐng)是中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)枺?01610581500.8，申請(qǐng)日：2016年07月22日，發(fā)明名稱：發(fā)光元件及其制造方法)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，且特別是涉及一種可發(fā)出多個(gè)主波長(zhǎng)的發(fā)光元件。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode,LED)為被廣泛使用的固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光元件。發(fā)光二極管包含一p型半導(dǎo)體層，一n型半導(dǎo)體層，以及一活性層位于p型半導(dǎo)體層及n型半導(dǎo)體層之間以發(fā)出一光線。發(fā)光二極管可將電能轉(zhuǎn)換成光能，其工作原理為提供一電流予發(fā)光二極管以注入電子與空穴于活性層中，電子與空穴于活性層中結(jié)合后發(fā)出光線。

發(fā)明內(nèi)容

一種發(fā)光元件包含一載體；以及一第一發(fā)光單元位于載體上，并包含一第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及一第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)較第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更靠近載體，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一第一多重量子阱結(jié)構(gòu)以于操作時(shí)發(fā)出一具有一第一主波長(zhǎng)的第一光線，以及第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一第二多重量子阱結(jié)構(gòu)以于操作時(shí)不發(fā)出光線。

一種發(fā)光元件包含載體、第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、反射層、第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及跨橋電極。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于載體上且包含第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，以及第一活性層形成于第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層之間。反射層位于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與載體之間。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于載體與反射層之間，且包含第二活性層以及第三半導(dǎo)體層，第三半導(dǎo)體層位于反射層與第二活性層之間且具有第一側(cè)表面。跨橋電極形成于第一側(cè)表面上。

一種發(fā)光元件的制造方法包含提供一成長(zhǎng)基板；成長(zhǎng)一包含一第一多重量子阱結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體疊層于成長(zhǎng)基板上；成長(zhǎng)一包含一第二多重量子阱結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體疊層于第一半導(dǎo)體疊層上；提供一載體；接合第二導(dǎo)體疊層至載體，其中載體包含一第一區(qū)及一鄰接第一區(qū)的第二區(qū)；移除載體上第二區(qū)的第一半導(dǎo)體疊層以露出第二半導(dǎo)體疊層，并保留載體上第一區(qū)的第一半導(dǎo)體疊層；通過(guò)移除部分第二半導(dǎo)體疊層以形成一溝槽以將第二半導(dǎo)體疊層分隔為兩個(gè)分開(kāi)的部分；形成一第一頂部電極于載體上的第一區(qū)的第一半導(dǎo)體疊層上；以及形成一第二頂部電極于載體上的第二區(qū)的第二半導(dǎo)體疊層上，其中載體共同電連接至第一頂部電極及第二頂部電極。

附圖說(shuō)明

圖1A～圖1D是本發(fā)明一實(shí)施例中所揭示的一發(fā)光元件的制造方法；

圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例中所揭示的一發(fā)光元件的剖視圖；

圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例中所揭示的一發(fā)光元件的剖視圖。

符號(hào)說(shuō)明

1 發(fā)光元件

1a 第一發(fā)光單元

1b 第二發(fā)光單元

10 成長(zhǎng)基板

11 第一半導(dǎo)體疊層

11a 第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

111 第一半導(dǎo)體層

112 第一活性層

113 第二半導(dǎo)體層

13 反射層

14 穿隧接面

15 第二半導(dǎo)體疊層

15a 第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)