[發明專利]發光元件及其制造方法在審
| 申請號： | 202010984325.3 | 申請日： | 2016-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN112234126A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 呂紹平;陳怡名;彭鈺仁;林俊宇;蔡均富;徐子杰 | 申請（專利權）人： | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/08 | 分類號： | H01L33/08;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光元件，其特征在于，包含：
載體；
第一半導體結構，位于該載體上，且包含第一半導體層，第二半導體層，以及第一活性層形成于該第一半導體層及該第二半導體層之間；
反射層，位于該第一半導體結構與該載體之間；
第二半導體結構，位于該載體與該反射層之間，且包含第二活性層以及第三半導體層，該第三半導體層位于該反射層與該第二活性層之間且具有第一側表面；以及
跨橋電極，形成于該第一側表面上。
2.如權利要求1所述的發光元件，其中該反射層包含布拉格反射(DBR)結構。
3.如權利要求1或2所述的發光元件，還包含接觸電極，位于該第二半導體結構的上表面。
4.如權利要求1或2所述的發光元件，其中該第二半導體結構還包含第四半導體層，位于該第二活性層與該載體之間。
5.如權利要求1或2所述的發光元件，其中該第一半導體結構具有第二側表面，該第二半導體結構具有上表面，且該第二側表面與該上表面形成階梯型結構。
6.如權利要求1或2所述的發光元件，還包含黏結層，位于該第二半導體結構與該載體之間。
7.如權利要求1或2所述的發光元件，還包含底部電極，位于該載體的背側。
8.如權利要求1或2所述的發光元件，其中該第一活性層包含單異質結構，雙異質結構或多層量子阱結構。
9.如權利要求1或2所述的發光元件，其中該第一活性層的材料包含InxGnyAl(1-x-y)N，InxGayAl(1-x-y)P或InxGayAl(1-x-y)As，其中0≤x,y≤1。
10.如權利要求1或2所述的發光元件，其中該反射層具有與該第二半導體層相同的導電性。
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