[發明專利]主動開關陣列基板、薄膜晶體管陣列基板的制造方法

在審

• 申請號: 202010980787.8
• 申請日: 2020-09-17
• 公開（公告）號: CN112071867A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 卓恩宗;陳曦;許哲豪;葉利丹
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳精智聯合知識產權代理有限公司 44393
• 代理人: 夏聲平

本申請提供一種主動開關陣列基板的制造方法，在第一次濕法刻蝕金屬層或者第二次濕法刻蝕金屬層后，首先對光阻進行干法刻蝕，減小光阻體積，進而使得被光阻遮住的因受臨界尺寸損失影響橫截面積小于其上的光阻橫截面積的金屬層與光阻的邊緣寬度差減小，進而減小“尾巴”現象，提高主動開關陣列基板上的器件性能穩定性。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種主動開關陣列基板、薄膜晶體管陣列基板的制造方法。

背景技術

液晶顯示器等顯示器件上的每一像素單元都是由集成在其后的主動開關元件例如薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)來驅動。TFT陣列基板通常包括基板、排布于基板上的薄膜晶體管、鈍化層以及像素電極。隨著顯示技術發展，TFT陣列基板制程已由最初的7光罩(7Mask)過程逐漸發展至現在主流的4光罩(4Mask)過程，大大降低了顯示器件的生產成本。4Mask制程中，關鍵工藝在于第二道光罩工藝，要進行兩次濕法刻蝕以及兩次干法刻蝕，進而形成薄膜晶體管的源極、漏極以及源極與漏極之間的導電溝道。兩次濕法刻蝕以及兩次干法刻蝕后的TFT陣列基板主要結構通常包括，基板100’、形成于基板上的柵極200’、覆蓋柵極200’的柵絕緣層300’、形成于柵絕緣層300’上且與所述柵極300’相對的有源層400’，形成于有源層400’兩端上的間斷的摻雜層500’以及形成于摻雜層500’上的源極610’以及漏極620’，參考圖1。但是相關技術在第一次濕法刻蝕金屬層600’(金屬層600’刻蝕最終后形成源極610’以及漏極620’等線路結構)后，先進行摻雜層400’以及有源層500’的干法刻蝕再進行光阻(PR)灰化，如圖2至圖4所示。參考圖2，第一次濕法刻蝕金屬層600’產生臨界尺寸損失(CD LOSS，Critical Dimension Loss)，再經過其上的光阻做掩膜刻蝕金屬層600’下的摻雜層400’以及有源層500’(參考圖3)，就會使得第一次濕法刻蝕后金屬層600’(金屬層之后形成源極以及漏極等線路結構)邊緣外也有較多摻雜層400’以及有源層500’，即在金屬層600’邊緣外存在較寬摻雜層400’以及有源層500’形成的尾巴(Tail)，而形成有較寬Tail的顯示器件的TFT陣列基板很可能會因吸光，而在源極與漏極之間產生漏電流，造成基于TFT陣列基板的顯示器件性能不穩定。

發明內容

本申請的目的是為了解決上述顯示器件性能不穩定的技術問題，提供一種主動開關陣列基板的制造方法。

為實現上述目的，本申請采用以下技術方案：

一種主動開關陣列基板的制造方法，包括：

提供基板，并通過第一道光罩在基板上形成柵極；

沉積柵絕緣層覆蓋所述柵極以及基板，并在所述柵絕緣層上方依次形成有源層以及金屬層；

在所述金屬層上涂布光阻，并通過第二道光罩圖案化所述光阻，獲得第一圖案化光阻；

以所述第一圖案化光阻為掩膜，對所述金屬層進行第一次濕法刻蝕以去除所述第一圖案化光阻外側所露出的金屬層，其中所述第一次濕法刻蝕所述金屬層的持續時間為60-90秒；

第一次干法刻蝕所述第一圖案化光阻，以獲得第二圖案化光阻并露出所述金屬層上待形成源極以及漏極區域之間的區域，同時去除所述金屬層外側所露出的有源層、所述柵絕緣層；

以所述第二圖案化光阻為掩膜，對所述金屬層進行第二次濕法刻蝕以去除待形成源極以及漏極之間的區域，第二次濕法刻蝕形成所述源極和漏極并露出所述有源層；

以所述第二圖案化光阻為掩膜，進行第二次干法刻蝕所述有源層以形成導電溝道；

去除所述第二圖案化光阻、并完成第二絕緣層和電極層的制備。

此外，本申請另一實施例提供的一種主動開關陣列基板的制造方法，其包括：

提供基板，并通過第一道光罩在基板上形成柵極；