[發(fā)明專(zhuān)利]主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板、薄膜晶體管陣列基板的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010980787.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112071867A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卓恩宗;陳曦;許哲豪;葉利丹
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳精智聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44393
• 代理人: 夏聲平

1.一種主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，并通過(guò)第一道光罩在基板上形成柵極；

沉積柵絕緣層覆蓋所述柵極以及基板，并在所述柵絕緣層上方依次形成有源層以及金屬層；

在所述金屬層上涂布光阻，并通過(guò)第二道光罩圖案化所述光阻，獲得第一圖案化光阻；

以所述第一圖案化光阻為掩膜，對(duì)所述金屬層進(jìn)行第一次濕法刻蝕以去除所述第一圖案化光阻外側(cè)所露出的金屬層，其中所述第一次濕法刻蝕所述金屬層的持續(xù)時(shí)間為60-90秒；

第一次干法刻蝕所述第一圖案化光阻，以獲得第二圖案化光阻并露出所述金屬層上待形成源極以及漏極區(qū)域之間的區(qū)域，同時(shí)去除所述金屬層外側(cè)所露出的有源層、所述柵絕緣層；

以所述第二圖案化光阻為掩膜，對(duì)所述金屬層進(jìn)行第二次濕法刻蝕以去除待形成源極以及漏極之間的區(qū)域，第二次濕法刻蝕形成所述源極和漏極并露出所述有源層；

以所述第二圖案化光阻為掩膜，進(jìn)行第二次干法刻蝕所述有源層以形成導(dǎo)電溝道；

去除所述第二圖案化光阻、并完成第二絕緣層和電極層的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次濕法刻蝕所述金屬層的持續(xù)時(shí)間為60-85秒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，所述有源層與金屬層之間還形成有摻雜層，所述第二次干法刻蝕過(guò)程還包括：以所述第二圖案化光阻為掩膜，刻蝕所述摻雜層以露出所述有源層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次干法刻蝕過(guò)程中，所述有源層部分刻蝕，形成導(dǎo)電溝道。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二絕緣層沉積覆蓋所述源極、漏極、所述有源層和所述導(dǎo)電溝道以及所述基板。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括：在所述第二絕緣層對(duì)應(yīng)于所述源極或漏極上方刻蝕出過(guò)孔以露出所述源極或漏極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括：在所述第二絕緣層上沉積電極層并使所述電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述源極或漏極連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板為薄膜晶體管陣列基板。

9.一種主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，并通過(guò)第一道光罩在基板上形成柵極；

沉積柵絕緣層覆蓋所述柵極以及基板，并在所述柵絕緣層上方依次形成有源層以及金屬層；

在所述金屬層上涂布光阻，并通過(guò)第二道光罩圖案化所述光阻，獲得第一圖案化光阻；

以所述第一圖案化光阻為掩膜，對(duì)所述金屬層進(jìn)行第一次濕法刻蝕以去除所述第一圖案化光阻外側(cè)所露出的金屬層，其中所述第一次濕法刻蝕所述金屬層的持續(xù)時(shí)間為60-90秒；

以所述第一圖案化光阻為掩膜進(jìn)行第一次干法刻蝕，以露出所述金屬層上待形成源極以及漏極區(qū)域之間的區(qū)域；同時(shí)去除所述金屬層外側(cè)所露出的有源層、所述柵絕緣層；

以所述第二圖案化光阻為掩膜，對(duì)所述金屬層進(jìn)行第二次濕法刻蝕以去除待形成源極以及漏極之間的區(qū)域，第二次濕法刻蝕形成所述源極和漏極并露出所述有源層；其中所述第二次濕法刻蝕所述金屬層的持續(xù)時(shí)間為60-85秒；

干法刻蝕所述第二圖案化光阻，使得所述所述第二圖案化光阻體積縮小；

以所述體積縮小第二圖案化光阻為掩膜，進(jìn)行第二次干法刻蝕所述有源層以形成導(dǎo)電溝道；

去除所述第二圖案化光阻、并完成第二絕緣層和電極層的制備。

10.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，并通過(guò)第一道光罩工藝在基板上形成柵極；

沉積柵絕緣層覆蓋所述柵極以及基板，并在所述柵絕緣層上方依次形成有源層、摻雜層以及金屬層；

在所述金屬層上涂布光阻，并通過(guò)第二道光罩圖案化所述光阻，獲得第一圖案化光阻；

以所述第一圖案化光阻為掩膜，對(duì)所述金屬層進(jìn)行第一次濕法刻蝕以去除所述第一圖案化光阻外側(cè)所露出的金屬層，其中所述第一次濕法刻蝕所述金屬層的持續(xù)時(shí)間為60～90秒；

第一次干法刻蝕所述第一圖案化光阻，以獲得第二圖案化光阻；同時(shí)露出所述金屬層上待形成源極以及漏極之間的區(qū)域；第一次干法刻蝕同時(shí)去除所述金屬層外側(cè)所露出的有源層、所述摻雜層、所述柵絕緣層；

以所述第二圖案化光阻為掩膜，對(duì)所述金屬層進(jìn)行第二次濕法刻蝕，以去除待形成源極以及漏極之間的區(qū)域，第二次濕法刻蝕形成所述源極和漏極、露出所述有源層；其中所述第二次濕法刻蝕所述金屬層的持續(xù)時(shí)間為60～85秒；

以所述第二圖案化光阻為掩膜，進(jìn)行第二次干法刻蝕所述有源層以形成導(dǎo)電溝道；

去除所述第二圖案化光阻、并完成第二絕緣層和電極層的制備。