[發(fā)明專利]一種利用熱應(yīng)變誘導(dǎo)寬溫區(qū)電卡效應(yīng)PLZST基薄膜的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010979496.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112062568A | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭彪林;陸秋萍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣西大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C04B35/50 | 分類號(hào): | C04B35/50;C04B35/472;C04B35/462;C04B35/622 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 盧波 |
| 地址: | 530004 廣西*** | 國(guó)省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 應(yīng)變 誘導(dǎo) 寬溫區(qū)電卡 效應(yīng) plzst 薄膜 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種利用熱應(yīng)變誘導(dǎo)寬溫區(qū)電卡效應(yīng)PLZST基薄膜的制備方法,屬于化學(xué)工程技術(shù)領(lǐng)域。一種利用熱應(yīng)變誘導(dǎo)寬溫區(qū)電卡效應(yīng)PLZST基薄膜的制備方法,包括以下步驟:將LaNiO3前驅(qū)體溶液旋涂于襯底上制得第一濕膜,將所得的第一濕膜干燥、熱解,退火制得單層LaNiO3薄膜;重復(fù)以上步驟制得多層LaNiO3/Si(100)或LaNiO3/Pt(111)復(fù)合基底;將PLZST前驅(qū)體溶液旋涂于襯底上,制得第二濕膜;對(duì)所得的第二濕膜干燥、熱解,制得單層PLZST薄膜;重復(fù)制得多層PLZST薄膜,其中在制備多層PLZST薄膜之前或之后還包括退火的步驟。本發(fā)明制備方法相對(duì)簡(jiǎn)單,可以通過改變襯底的種類和熱處理方式來調(diào)控薄膜的結(jié)構(gòu)和電卡性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種利用熱應(yīng)變誘導(dǎo)寬溫區(qū)電卡效應(yīng)PLZST基薄膜的制備方法,屬于化學(xué)工程技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
近年來,隨著電子科技、信息和控制技術(shù)朝著微型化、高集成化方向的發(fā)展,以及高科技領(lǐng)域?qū)τ诳焖僦评涞男枨螅阼F電/反鐵電薄膜/厚膜中電卡制冷的研究越來越多。與基于磁卡效應(yīng)的磁制冷的快速發(fā)展相比,電卡制冷在過去很長(zhǎng)一段時(shí)間里幾乎沒有進(jìn)展,因?yàn)橹荒苡^察到較小的△T和△S,直至2006年才在反鐵電PZT薄膜中發(fā)現(xiàn)了大的電卡效應(yīng)(△T=12k,△S=8JK-1kg-1)。然而,實(shí)際商業(yè)應(yīng)用中除了需要較大的△T值和高冷卻效率外,還需要一個(gè)寬廣的的操作溫度范圍。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種利用熱應(yīng)變誘導(dǎo)寬溫區(qū)電卡效應(yīng)PLZST基薄膜的制備方法。本發(fā)明通過利用具有寬溫區(qū)、大的電卡效應(yīng)鐵電體材料PbxLa(1-x)(ZrySnzTi(1-y-z))O3(PLZST),是一種具有寬溫區(qū)、大的電卡效應(yīng)鐵電體材料,通過溶膠凝膠合成法在不同基底上面、采用不同的熱處理制備出的PLZST薄膜材料,可以通過改變襯底的種類和熱處理方式來調(diào)控薄膜的電卡性能。
本發(fā)明的目的通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種利用熱應(yīng)變誘導(dǎo)寬溫區(qū)電卡效應(yīng)PLZST基薄膜的制備方法,包括以下步驟:
1)將LaNiO3前驅(qū)體溶液旋涂于襯底上制得第一濕膜,所述襯底為Si(100)或Pt(111);
2)將步驟1)所得的第一濕膜干燥、熱解,退火制得單層LaNiO3薄膜;
3)重復(fù)步驟1)和步驟2),制得多層LaNiO3/Si(100)或LaNiO3/Pt(111)復(fù)合基底;
4)將PLZST前驅(qū)體溶液旋涂于襯底上,制得第二濕膜,所述襯底為Pt(111)、步驟3)制得的多層LaNiO3/Si(100)復(fù)合基底、步驟3制得的LaNiO3/Pt(111)復(fù)合基底中的任一一種;
5)當(dāng)襯底為Pt(111)或LaNiO3/Si(100)復(fù)合基底時(shí),按照如下步驟進(jìn)行處理制得一層PLZST薄膜,
5-1)、將第二濕膜干燥、熱解、退火制得一層PLZST薄膜,
當(dāng)襯底為L(zhǎng)aNiO3/Pt(111)復(fù)合基底時(shí),可按照以下任一步驟進(jìn)行處理制得一層PLZST,
5-2)、將第二濕膜干燥、熱解、退火制得一層PLZST薄膜,
5-3)、將第二濕膜干燥、熱解制得一層PLZST薄膜;
6)按照如下任一步驟進(jìn)行處理制備多層PLZST薄膜:
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