[發明專利]一種利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 202010979496.7
• 申請日: 2020-09-17
• 公開（公告）號: CN112062568A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 彭彪林;陸秋萍
• 申請（專利權）人: 廣西大學
• 主分類號: C04B35/50
• 分類號: C04B35/50;C04B35/472;C04B35/462;C04B35/622
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 盧波

1.一種利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

1)將LaNiO₃前驅體溶液旋涂于襯底上制得第一濕膜，所述襯底為Si(100)或Pt(111)；

2)將步驟1)所得的第一濕膜干燥、熱解，退火制得單層LaNiO₃薄膜；

3)重復步驟1)和步驟2)，制得多層LaNiO₃/Si(100)或LaNiO₃/Pt(111)復合基底；

4)將PLZST前驅體溶液旋涂于襯底上，制得第二濕膜，所述襯底為Pt(111)、步驟3)制得的多層LaNiO₃/Si(100)復合基底、步驟3制得的LaNiO₃/Pt(111)復合基底中的任一一種；

5)當襯底為Pt(111)或LaNiO₃/Si(100)復合基底時，按照如下步驟進行處理制得一層PLZST薄膜，

步驟5-1)、將第二濕膜干燥、熱解、退火制得一層PLZST薄膜，

當襯底為LaNiO₃/Pt(111)復合基底時，可按照以下任一步驟進行處理制得一層PLZST，

5-2)、將第二濕膜干燥、熱解、退火制得一層PLZST薄膜，

5-3)、將第二濕膜干燥、熱解制得一層PLZST薄膜；

6)按照如下任一步驟進行處理制備多層PLZST薄膜：

6-1)、重復步驟4)和步驟5-1)制得多層PLZST薄膜，

6-2)、重復步驟4)和步驟5-2)制得多層PLZST薄膜，

6-3)、重復步驟4)和步驟5-3)制得未退火的PLZST薄膜，退火制得完全退火的多層PLZST薄膜。

2.根據權利要求1所述的利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)所述的LaNiO₃前驅體溶液濃度為0.2-0.3M。

3.根據權利要求1所述的利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)所述旋涂轉速為4000-6000rpm，旋涂時間為30-60s。

4.根據權利要求1所述的利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2)所述干燥溫度為120-250℃，干燥時間為3-5min，所述熱解溫度為400-550℃，熱解時間為3-5min，所述退火溫度為700-800℃，退火時間為3-5min，退火環境為空氣氛圍。

5.根據權利要求1所述的利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3)制得6層LaNiO₃薄膜。

6.根據權利要求1所述的利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法，其特征在于，步驟4)所述的PLZST通式為Pb_xLa_(1-x)(Zr_ySn_zTi_(1-y-z))O₃，其中0x1,0y1,0z1,所述的PLZST前驅體溶液濃度為0.2-0.3M。

7.根據權利要求1所述的利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法，其特征在于，步驟4)所述旋涂轉速為4000-6000rpm，旋涂時間為30-60s。

8.根據權利要求1所述的利用熱應變誘導寬溫區電卡效應PLZST基薄膜的制備方法，其特征在于，步驟5-1)、步驟5-2)和步驟5-3)所述干燥溫度均為120-250℃，干燥時間均為3-5min，所述熱解溫度均為400-550℃，熱解時間均為3-5min，步驟5-1)和步驟5-2)所述退火溫度均為700-800℃，退火時間均為3-5min，退火環境均為空氣氛圍。