[發明專利]顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010979117.4
• 申請日: 2020-09-17
• 公開（公告）號: CN112599561A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 金宰范;金明鎬;孫暻錫;李承俊;李昇憲;林俊亨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;田野

公開了一種顯示裝置及其制造方法，該顯示裝置包括：基底；第一半導體圖案；第一柵極絕緣膜，覆蓋第一半導體圖案；第一導電層和第二半導體圖案，位于第一柵極絕緣膜上；第二柵極絕緣膜，位于第二半導體圖案上；第三柵極絕緣膜，覆蓋第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜；第二導電層，位于第三柵極絕緣膜上；層間絕緣膜，覆蓋第二導電層；以及第三導電層，位于層間絕緣膜上，其中，第一半導體圖案和第二半導體圖案分別形成第一晶體管和第二晶體管的半導體層，其中，第一導電層包括第一晶體管的柵電極和電容器的第一電極，其中，第二導電層包括第二晶體管的柵電極和電容器的第二電極。

本申請要求于2019年10月2日提交的第10-2019-0122027號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開的方面涉及一種顯示裝置。

背景技術

隨著多媒體的發展，顯示裝置變得越來越重要。響應于此，正在使用各種類型的顯示裝置，諸如液晶顯示器(LCD)、有機發光二極管(OLED)顯示器等。OLED顯示器使用通過使電子和空穴復合而產生光的OLED來顯示圖像。OLED顯示器包括向OLED提供驅動電流的多個晶體管。

發明內容

本公開的實施例的方面涉及一種顯示裝置，在該顯示裝置中，減少了制造工藝中使用的掩模的數量。

本公開的實施例的方面也涉及一種制造顯示裝置的方法，在該方法中，減少了制造工藝中使用的掩模的數量。

本公開的范圍不限于上述方面，并且本領域技術人員可以從下面的描述清楚地理解其他未提及的方面。

根據本發明的一些實施例，提供了一種顯示裝置，顯示裝置包括具有溝道的第一晶體管、具有溝道的第二晶體管和電容器，其中，溝道由不同的半導體層形成，顯示裝置還包括：基底；第一半導體圖案，位于基底上；第一柵極絕緣膜，覆蓋第一半導體圖案；第一導電層和第二半導體圖案，位于第一柵極絕緣膜上；第二柵極絕緣膜，位于第二半導體圖案上；第三柵極絕緣膜，覆蓋第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜；第二導電層，位于第三柵極絕緣膜上；層間絕緣膜，覆蓋第二導電層；以及第三導電層，位于層間絕緣膜上，其中，第一半導體圖案形成第一晶體管的半導體層，其中，第二半導體圖案形成第二晶體管的半導體層，并且第二半導體圖案的側表面與第二柵極絕緣膜的側表面對齊，其中，第一導電層包括第一晶體管的柵電極和電容器的第一電極，其中，第二導電層包括第二晶體管的柵電極和電容器的第二電極，其中，第三導電層包括第一晶體管的源/漏電極和第二晶體管的源/漏電極。

在一些實施例中，第一晶體管和第二晶體管中的一者是p型金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管，第一晶體管和第二晶體管中的另一者是n型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管。

在一些實施例中，PMOS晶體管包括多晶硅，NMOS晶體管包括氧化物半導體。

在一些實施例中，顯示裝置還包括：蓋膜，覆蓋第一導電層，其中，蓋膜置于第一柵極絕緣膜與第二半導體圖案之間以及第一晶體管的柵電極與第三柵極絕緣膜之間。

在一些實施例中，蓋膜包括氧化硅。

在一些實施例中，蓋膜的厚度比第二柵極絕緣膜的厚度小。

在一些實施例中，第二柵極絕緣膜位于第二半導體圖案與第二晶體管的柵電極之間，并且不位于電容器的第一電極與電容器的第二電極之間。

在一些實施例中，第二柵極絕緣膜包括氧化硅，第三柵極絕緣膜包括氮化硅。

在一些實施例中，第一晶體管的柵電極和第二晶體管的半導體層形成在同一層處。

在一些實施例中，絕緣膜位于第二晶體管的半導體層與第二晶體管的柵電極之間，所述絕緣膜同第一晶體管的柵電極與電容器的第二電極之間的絕緣膜相同。