[發明專利]顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010979117.4
• 申請日: 2020-09-17
• 公開（公告）號: CN112599561A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 金宰范;金明鎬;孫暻錫;李承俊;李昇憲;林俊亨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;田野

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基底；

第一半導體圖案，位于所述基底上；

第一柵極絕緣膜，覆蓋所述第一半導體圖案；

第一導電層和第二半導體圖案，位于所述第一柵極絕緣膜上；

第二柵極絕緣膜，位于所述第二半導體圖案上；

第三柵極絕緣膜，覆蓋所述第一柵極絕緣膜和所述第二柵極絕緣膜；

第二導電層，位于所述第三柵極絕緣膜上；

層間絕緣膜，覆蓋所述第二導電層；以及

第三導電層，位于所述層間絕緣膜上，

其中，所述第一半導體圖案包括第一晶體管的半導體層，

其中，所述第二半導體圖案包括第二晶體管的半導體層，并且所述第二半導體圖案的側表面與所述第二柵極絕緣膜的側表面對齊，

其中，所述第一導電層包括所述第一晶體管的柵電極和電容器的第一電極，

其中，所述第二導電層包括所述第二晶體管的柵電極和所述電容器的第二電極，并且

其中，所述第三導電層包括所述第一晶體管的源/漏電極和所述第二晶體管的源/漏電極。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管中的一者是p型金屬氧化物半導體晶體管，并且所述第一晶體管和所述第二晶體管中的另一者是n型金屬氧化物半導體晶體管。

3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述p型金屬氧化物半導體晶體管包括多晶硅，并且所述n型金屬氧化物半導體晶體管包括氧化物半導體。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：蓋膜，覆蓋所述第一導電層，

其中，所述蓋膜置于所述第一柵極絕緣膜與所述第二半導體圖案之間以及所述第一晶體管的所述柵電極與所述第三柵極絕緣膜之間。

5.根據權利要求4所述的顯示裝置，其中，所述蓋膜包括氧化硅。

6.根據權利要求4所述的顯示裝置，其中，所述蓋膜的厚度比所述第二柵極絕緣膜的厚度小。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二柵極絕緣膜位于所述第二半導體圖案與所述第二晶體管的所述柵電極之間，并且不位于所述電容器的所述第一電極與所述電容器的所述第二電極之間。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其中，所述第二柵極絕緣膜包括氧化硅，并且所述第三柵極絕緣膜包括氮化硅。

9.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一晶體管的所述柵電極和所述第二晶體管的所述半導體層位于同一層處。

10.根據權利要求9所述的顯示裝置，其中，絕緣膜位于所述第二晶體管的所述半導體層與所述第二晶體管的所述柵電極之間，所述絕緣膜同所述第一晶體管的所述柵電極與所述電容器的所述第二電極之間的絕緣膜相同。

11.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二晶體管的所述柵電極與所述第二晶體管的所述半導體層之間的距離比所述電容器的所述第一電極與所述電容器的所述第二電極之間的距離大。

12.根據權利要求11所述的顯示裝置，其中，所述第二柵極絕緣膜的厚度比所述第三柵極絕緣膜的厚度大。