[發明專利]一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置

在審

• 申請號: 202010978877.3
• 申請日: 2020-09-17
• 公開（公告）號: CN112647135A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 趙浩;李洪武;周麗;丁立軍;王挺;許聚武;陳晟;習聰玲
• 申請（專利權）人: 嘉興學院
• 主分類號: C30B33/12
• 分類號: C30B33/12;C30B29/06
• 代理公司: 北京化育知識產權代理有限公司 11833
• 代理人: 涂琪順

本發明公開了一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，包括反應室本體，所述反應室本體內設置有片架，所述反應室本體上固定安裝有片架旋轉機構，所述片架旋轉機構的動力輸出軸與片架固定連接，所述片架的軸線、片架旋轉機構的動力輸出軸的軸線與反應室本體的軸線相重合，所述反應室本體的內壁上固定安裝有若干獨立定位組件，若干所述獨立定位組件可伸縮且可與片架相接觸。本發明通過獨立控制的定位組件和實時驗證組件可實現對片架進行實時的自動定位，并可自動適應在一定范圍內不同規格的片架，可大幅提升定位的準確性，確保了片架處于反應室本體的軸線位置，通用性強，可大幅提升片架中多個單晶硅刻蝕加工的精度。

技術領域

本發明屬于傳感器技術領域，具體涉及一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置。

背景技術

傳感器用單晶硅在加工過程中，均需對其進行刻蝕處理；現有的刻蝕加工過程中，其往往通過將多個單晶硅疊放在片架之上，并通過向片架所在位置導入反應氣體，并使得反應氣體在電場環境下產生等離子體，以對單晶硅進行刻蝕；片架在刻蝕過程中通常需要進行旋轉以增加單晶硅與等離子體的接觸均度，然而，片架的旋轉可能導致其發生偏移，從而造成單晶硅與等離子之間的接觸不均，進而影響其刻蝕效果。

為了解決上述問題，公布號為CN104975350A的中國專利公開了傳感器單晶硅刻蝕過程中的片架定位裝置，其記載了通過多個支撐桿件對片架進行定位處理，使得其始終處于反應室的軸線位置，從而使得片架之中的多個單晶硅的刻蝕加工的精度得以改善。

但是上述技術方案仍存在以下缺陷：其一是在實際的使用過程中，支撐桿與其他結構的配合存在誤差，并缺乏驗證機制，無法準確得知片架是否處于反應室的軸線位置，即便發生了誤差，也不易進行校對；其二是不便于組裝和調試，通用性較差，無法根據不同的片架進行調整。

因此，針對上述技術問題，有必要提供一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置。

發明內容

本發明的目的在于提供一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，以解決上述的問題。

為了實現上述目的，本發明一實施例提供的技術方案如下：

一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，包括反應室本體，所述反應室本體內設置有片架，所述反應室本體上固定安裝有片架旋轉機構，所述片架旋轉機構的動力輸出軸與片架固定連接，所述片架的軸線、片架旋轉機構的動力輸出軸的軸線與反應室本體的軸線相重合；

所述反應室本體的內壁上固定安裝有若干獨立定位組件，若干所述獨立定位組件可伸縮且可與片架相接觸，所述反應室本體上還安裝有實時驗證組件，所述實時驗證組件用于實時驗證片架所處的位置。

進一步地，所述獨立定位組件包括固定安裝在反應室本體內壁上的獨立控制座和固定安裝在獨立控制座上的伸縮桿。

進一步地，所述伸縮桿遠離獨立控制座的一端安裝有滾珠，所述滾珠的表面設置有拋光層。

進一步地，所述實時驗證組件包括主動檢測環和與主動檢測環相匹配的反射組件，所述主動檢測環上設置有若干主動發光點，所述主動發光點的密度為2個每平面毫米以上。

進一步地，所述主動發光點發出光線的類型為紅外光或常見光。

進一步地，所述反應室本體包括頂板和底板，所述反射組件固定連接在頂板上，所述主動檢測環固定連接在底板上。

進一步地，所述底板上開設有環形通孔，所述環形通孔與主動檢測環相匹配，所述環形通孔上固定安裝有透明環。

進一步地，所述主動檢測環的下端固定安裝有主控設備，所述主控設備與主動檢測環和若干獨立定位組件均電性連接。

進一步地，所述主控設備上設置有狀態顯示屏，所述狀態顯示屏的屏幕類型為IPS。