[發(fā)明專利]一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置

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• 申請日: 2020-09-17
• 公開（公告）號: CN112647135A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙浩;李洪武;周麗;丁立軍;王挺;許聚武;陳晟;習(xí)聰玲
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興學(xué)院
• 主分類號: C30B33/12
• 分類號: C30B33/12;C30B29/06
• 代理公司: 北京化育知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11833
• 代理人: 涂琪順

1.一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，包括反應(yīng)室本體(1)，所述反應(yīng)室本體(1)內(nèi)設(shè)置有片架(4)，其特征在于，所述反應(yīng)室本體(1)上固定安裝有片架旋轉(zhuǎn)機構(gòu)(5)，所述片架旋轉(zhuǎn)機構(gòu)(5)的動力輸出軸與片架(4)固定連接，所述片架(4)的軸線、片架旋轉(zhuǎn)機構(gòu)(5)的動力輸出軸的軸線與反應(yīng)室本體(1)的軸線相重合；

所述反應(yīng)室本體(1)的內(nèi)壁上固定安裝有若干獨立定位組件，若干所述獨立定位組件可伸縮且可與片架(4)相接觸，所述反應(yīng)室本體(1)上還安裝有實時驗證組件，所述實時驗證組件用于實時驗證片架(4)所處的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述獨立定位組件包括固定安裝在反應(yīng)室本體(1)內(nèi)壁上的獨立控制座(6)和固定安裝在獨立控制座(6)上的伸縮桿(7)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述伸縮桿(7)遠離獨立控制座(6)的一端安裝有滾珠(8)，所述滾珠(8)的表面設(shè)置有拋光層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述實時驗證組件包括主動檢測環(huán)(10)和與主動檢測環(huán)(10)相匹配的反射組件(11)，所述主動檢測環(huán)(10)上設(shè)置有若干主動發(fā)光點，所述主動發(fā)光點的密度為2個每平面毫米以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述主動發(fā)光點發(fā)出光線的類型為紅外光或常見光。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述反應(yīng)室本體(1)包括頂板(101)和底板(102)，所述反射組件(11)固定連接在頂板(101)上，所述主動檢測環(huán)(10)固定連接在底板(102)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述底板(102)上開設(shè)有環(huán)形通孔，所述環(huán)形通孔與主動檢測環(huán)(10)相匹配，所述環(huán)形通孔上固定安裝有透明環(huán)(9)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述主動檢測環(huán)(10)的下端固定安裝有主控設(shè)備(12)，所述主控設(shè)備(12)與主動檢測環(huán)(10)和若干獨立定位組件均電性連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述主控設(shè)備(12)上設(shè)置有狀態(tài)顯示屏(13)，所述狀態(tài)顯示屏(13)的屏幕類型為IPS。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動定位式傳感器單晶硅刻蝕裝置，其特征在于，所述反應(yīng)室本體(1)的上端設(shè)置有送氣管道(2)，所述反應(yīng)室本體(1)的下端設(shè)置有抽氣管道(3)。