[發明專利]半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 202010977926.1 | 申請日： | 2020-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN112530872A | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 江欣哲;高偉智;梁春昇;潘國華 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的制造方法，包括：
提供一半導體基板；
從該半導體基板的一頂表面外延成長一阻擋層，其中該阻擋層具有與該半導體基板不同的晶格常數；
于該阻擋層之上外延成長一半導體層；
圖案化該半導體層，以形成一半導體鰭片，其中該阻擋層位于該半導體鰭片之下；
形成與該半導體鰭片接觸的一源極/漏極部件；以及
形成齒合該半導體鰭片的一柵極結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
