[發(fā)明專利]掩膜板及其制備方法、顯示基板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010976329.7 | 申請日: | 2020-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN112080721A | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王彥磊 | 申請(專利權(quán))人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L27/32;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 解立艷 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜板 及其 制備 方法 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種掩膜板,其特征在于,包括:
掩膜板主體;
位于所述掩膜板主體一側(cè)表面的隔墊部,所述隔墊部的側(cè)壁和所述隔墊部背向掩膜板主體的頂面之間平緩過渡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述隔墊部的側(cè)壁和所述隔墊部背向掩膜板主體的頂面之間呈倒圓角;
優(yōu)選的,所述隔墊部的表面粗糙度小于或等于0.8μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板主體包括蒸鍍區(qū)和包圍所述蒸鍍區(qū)的外圍區(qū),所述蒸鍍區(qū)中具有若干蒸鍍開口;所述隔墊部包括第一隔墊部和第二隔墊部,或者,所述隔墊部為第一隔墊部,或者,所述隔墊部為第二隔墊部;
所述第一隔墊部位于所述外圍區(qū)的表面,所述第二隔墊部位于所述蒸鍍開口之間的蒸鍍區(qū)的表面;
優(yōu)選的,當(dāng)所述隔墊部包括第一隔墊部時(shí),所述第一隔墊部呈環(huán)繞所述蒸鍍區(qū)的環(huán)狀結(jié)構(gòu);
優(yōu)選的,當(dāng)所述隔墊部包括第二隔墊部時(shí),所述第二隔墊部的個(gè)數(shù)與所述蒸鍍開口的個(gè)數(shù)之比的取值范圍為1/18~2/9;
優(yōu)選的,所述第二隔墊部均勻的分布在所述蒸鍍區(qū)的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述隔墊部的高度的取值范圍為1.5μm~2μm;所述隔墊部的寬度的取值范圍為17μm~20μm。
5.一種掩膜板的制備方法,其特征在于,包括:
形成掩膜板主體;
在所述掩膜板主體的一側(cè)表面形成初始隔墊部;
對所述初始隔墊部背離所述掩模板主體一側(cè)的頂角進(jìn)行圓滑處理,使初始隔墊部形成隔墊部,所述隔墊部的側(cè)壁和頂面之間平緩過渡。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜板的制備方法,其特征在于,所述圓滑處理為濕法刻蝕工藝;
優(yōu)選的,所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溶液的成分包括三氯化鐵,所述三氯化鐵的質(zhì)量百分比濃度的取值范圍為3%~5%,所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溫度的取值范圍為25攝氏度~40攝氏度。
7.一種顯示基板,其特征在于,包括:基板,所述基板表面設(shè)置有像素限定層,所述像素限定層的表面設(shè)置有輔助功能層,所述輔助功能層的表面適于與權(quán)要1至6任意一項(xiàng)所述的掩膜板的隔墊部接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述像素限定層的表面設(shè)置有隔墊物,所述隔墊物的高度小于所述隔墊部的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述像素限定層包括隔離結(jié)構(gòu)和由所述隔離結(jié)構(gòu)圍合形成的像素開口,所述輔助功能層與所述隔離結(jié)構(gòu)背離基板的表面直接接觸。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求7至9任意一項(xiàng)所述的顯示基板。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





