[發(fā)明專利]掩膜板及其制備方法、顯示基板及顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010976329.7
• 申請(qǐng)日: 2020-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN112080721A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王彥磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L27/32;H01L51/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 解立艷

1.一種掩膜板，其特征在于，包括：

掩膜板主體；

位于所述掩膜板主體一側(cè)表面的隔墊部，所述隔墊部的側(cè)壁和所述隔墊部背向掩膜板主體的頂面之間平緩過渡。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述隔墊部的側(cè)壁和所述隔墊部背向掩膜板主體的頂面之間呈倒圓角；

優(yōu)選的，所述隔墊部的表面粗糙度小于或等于0.8μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板主體包括蒸鍍區(qū)和包圍所述蒸鍍區(qū)的外圍區(qū)，所述蒸鍍區(qū)中具有若干蒸鍍開口；所述隔墊部包括第一隔墊部和第二隔墊部，或者，所述隔墊部為第一隔墊部，或者，所述隔墊部為第二隔墊部；

所述第一隔墊部位于所述外圍區(qū)的表面，所述第二隔墊部位于所述蒸鍍開口之間的蒸鍍區(qū)的表面；

優(yōu)選的，當(dāng)所述隔墊部包括第一隔墊部時(shí)，所述第一隔墊部呈環(huán)繞所述蒸鍍區(qū)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；

優(yōu)選的，當(dāng)所述隔墊部包括第二隔墊部時(shí)，所述第二隔墊部的個(gè)數(shù)與所述蒸鍍開口的個(gè)數(shù)之比的取值范圍為1/18～2/9；

優(yōu)選的，所述第二隔墊部均勻的分布在所述蒸鍍區(qū)的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述隔墊部的高度的取值范圍為1.5μm～2μm；所述隔墊部的寬度的取值范圍為17μm～20μm。

5.一種掩膜板的制備方法，其特征在于，包括：

形成掩膜板主體；

在所述掩膜板主體的一側(cè)表面形成初始隔墊部；

對(duì)所述初始隔墊部背離所述掩模板主體一側(cè)的頂角進(jìn)行圓滑處理，使初始隔墊部形成隔墊部，所述隔墊部的側(cè)壁和頂面之間平緩過渡。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜板的制備方法，其特征在于，所述圓滑處理為濕法刻蝕工藝；

優(yōu)選的，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溶液的成分包括三氯化鐵，所述三氯化鐵的質(zhì)量百分比濃度的取值范圍為3％～5％，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溫度的取值范圍為25攝氏度～40攝氏度。

7.一種顯示基板，其特征在于，包括：基板，所述基板表面設(shè)置有像素限定層，所述像素限定層的表面設(shè)置有輔助功能層，所述輔助功能層的表面適于與權(quán)要1至6任意一項(xiàng)所述的掩膜板的隔墊部接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述像素限定層的表面設(shè)置有隔墊物，所述隔墊物的高度小于所述隔墊部的高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述像素限定層包括隔離結(jié)構(gòu)和由所述隔離結(jié)構(gòu)圍合形成的像素開口，所述輔助功能層與所述隔離結(jié)構(gòu)背離基板的表面直接接觸。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7至9任意一項(xiàng)所述的顯示基板。