[發明專利]一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝及制造工藝

在審

• 申請號: 202010974977.9
• 申請日: 2020-09-16
• 公開（公告）號: CN111958482A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 劉溪筆;劉云志;楊國興;吳繼偉
• 申請（專利權）人: 大連達利凱普科技股份公司
• 主分類號: B24B37/28
• 分類號: B24B37/28;B24B37/30;B24B1/00;H01G13/00;H01G4/12
• 代理公司: 大連智高專利事務所(特殊普通合伙) 21235
• 代理人: 畢進

一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝及制造工藝，屬于單層陶瓷電容器制造領域。技術方案：采用一次性樹脂游輪工裝對產品進行預處理，使基片從0受力到全面受力均勻逐步進行，將燒結后基片表面的雜質、凹坑、凸起去除，使產品平整厚度一致；正面減?。翰捎脺p薄機與專用吸真空工裝匹配對基片正面進行減薄；正面研磨：通過專用吸真空工裝匹配，采用單面研磨機對基片正面進行研磨；正面拋光：通過專用吸真空工裝匹配，采用單面拋光機對基片正面進行拋光；同理進行反面減薄、研磨、拋光。有益效果：本發明解決了現有工藝的極限厚度、精度、碎片率、外觀不良等問題，完全可以滿足100um厚度電容器所需基片要求，實現了超薄單層陶瓷電容器的制造。

技術領域

本發明屬于單層陶瓷電容器制造領域，具體為一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝及制造工藝。

背景技術

單層陶瓷電容器產品是在陶瓷基片上進行金屬化，形成兩側電極，因此陶瓷基片是單層電容器的基礎，決定了產品的性能容值、損耗、絕緣、溫度系數等等、結合力、合格率，單層電容器行業發展迅速，趨勢為向超薄、超小尺寸發展，終端需求現在已經要求成品厚度低至0.1mm，并且精度要求在±2um，否則產品的容值就會超差，因為瓷片材料脆性很大，厚度低于0.15mm就極易碎片，因此100um厚度基片是當前各個單層制造商正在攻克的難題。

現有的研磨工藝主要為雙面研磨和單面研磨，但是雙面研磨因治具原因，極限厚度在0.15mm左右，遠遠達不到0.1mm的厚度要求，且碎片率非常高。單面一般研磨采用粘蠟，但是研磨速率和精度問題也無法滿足0.1mm產品加工，并且殘蠟去除是很難控制的，會極大地影響產品的結合力，因此，當前瓷片制作工藝在生產效率和合格率方面遠遠不能滿足生產。

發明內容

為了解決上述現有技術中存在的問題，本發明提出一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝及制造工藝，該工裝通過真空固定基片，吸力均勻，該制造工藝增加減薄工藝，并采用組合工藝來加工超薄基片，解決現有工藝的弊端，充分滿足超薄電容器生產用基片要求。

技術方案如下：

一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝，包括：透氣鋼、密封圈、凸臺、吸真空口，所述凸臺為四周封閉的中空結構，所述凸臺上表面開有若干用于放置基片的區域，所述透氣鋼設置在所述區域中，所述透氣鋼四周設置所述密封圈，所述凸臺下表面設置所述吸真空口。

進一步的，所述密封圈為橡膠圈。

進一步的，所述區域的數量為8-10。

進一步的，還包括吸真空管路和真空機，所述吸真空口通過所述吸真空管路與所述真空機連接。

進一步的，所述區域沿所述凸臺邊緣呈環形分布。

本發明還包括一種超薄單層陶瓷電容器基片制造工藝，步驟如下：

S1、雙面研磨：采用一次性樹脂游輪工裝對產品進行預處理，使基片從0受力到全面受力均勻逐步進行，將燒結后基片表面的雜質、凹坑、凸起去除，使產品平整厚度一致；

S2、正面減薄：采用具有光柵控制系統的減薄機與專用吸真空工裝匹配對基片正面進行減??；

S3、正面研磨：通過專用吸真空工裝匹配，采用單面研磨機對基片正面進行研磨；

S4、正面拋光：通過專用吸真空工裝匹配，采用單面拋光機對基片正面進行拋光；

S5、反面減薄：采用具有光柵控制系統的減薄機與專用吸真空工裝匹配對基片反面進行減薄；

S6、反面研磨：通過專用吸真空工裝匹配，采用單面研磨機對基片反面進行研磨；

S7、反面拋光：通過專用吸真空工裝匹配，采用單面拋光機對基片反面進行拋光。

進一步的，還包括以下步驟：