[發(fā)明專利]一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝及制造工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010974977.9
• 申請(qǐng)日: 2020-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN111958482A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉溪筆;劉云志;楊國(guó)興;吳繼偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大連達(dá)利凱普科技股份公司
• 主分類號(hào): B24B37/28
• 分類號(hào): B24B37/28;B24B37/30;B24B1/00;H01G13/00;H01G4/12
• 代理公司: 大連智高專利事務(wù)所(特殊普通合伙) 21235
• 代理人: 畢進(jìn)

1.一種超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝，其特征在于，包括：透氣鋼(1)、密封圈(2)、凸臺(tái)(3)、吸真空口(4)，所述凸臺(tái)(3)為四周封閉的中空結(jié)構(gòu)，所述凸臺(tái)(3)上表面開有若干用于放置基片(5)的區(qū)域，所述透氣鋼(1)設(shè)置在所述區(qū)域中，所述透氣鋼(1)四周設(shè)置所述密封圈(2)，所述凸臺(tái)(3)下表面設(shè)置所述吸真空口(4)。

2.如權(quán)利要求1所述的超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝，其特征在于，所述密封圈(2)為橡膠圈。

3.如權(quán)利要求1所述的超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝，其特征在于，所述區(qū)域的數(shù)量為8-10。

4.如權(quán)利要求1所述的超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝，其特征在于，還包括吸真空管路和真空機(jī)，所述吸真空口(4)通過(guò)所述吸真空管路與所述真空機(jī)連接。

5.如權(quán)利要求3所述的超薄單層陶瓷電容器基片吸真空工裝，其特征在于，所述區(qū)域沿所述凸臺(tái)(3)邊緣呈環(huán)形分布。

6.一種超薄單層陶瓷電容器基片制造工藝，其特征在于，步驟如下：

S1、雙面研磨：采用一次性樹脂游輪工裝對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行預(yù)處理，使基片從0受力到全面受力均勻逐步進(jìn)行，將燒結(jié)后基片表面的雜質(zhì)、凹坑、凸起去除，使產(chǎn)品平整厚度一致；

S2、正面減薄：采用具有光柵控制系統(tǒng)的減薄機(jī)與專用吸真空工裝匹配對(duì)基片正面進(jìn)行減薄；

S3、正面研磨：通過(guò)專用吸真空工裝匹配，采用單面研磨機(jī)對(duì)基片正面進(jìn)行研磨；

S4、正面拋光：通過(guò)專用吸真空工裝匹配，采用單面拋光機(jī)對(duì)基片正面進(jìn)行拋光；

S5、反面減薄：采用具有光柵控制系統(tǒng)的減薄機(jī)與專用吸真空工裝匹配對(duì)基片反面進(jìn)行減薄；

S6、反面研磨：通過(guò)專用吸真空工裝匹配，采用單面研磨機(jī)對(duì)基片反面進(jìn)行研磨；

S7、反面拋光：通過(guò)專用吸真空工裝匹配，采用單面拋光機(jī)對(duì)基片反面進(jìn)行拋光。

7.如權(quán)利要求6所述的超薄單層陶瓷電容器基片制造工藝，其特征在于，還包括以下步驟：

S8、清洗，將基片放入咔塞盒，用純水沖洗后采用超聲波和酒精清洗，最后風(fēng)干，存放。

8.如權(quán)利要求6所述的超薄單層陶瓷電容器基片制造工藝，其特征在于，所述專用吸真空工裝包括：透氣鋼(1)、密封圈(2)、凸臺(tái)(3)、吸真空口(4)，所述凸臺(tái)(3)為中空結(jié)構(gòu)，所述凸臺(tái)(3)上表面開有若干用于放置基片(5)的區(qū)域，所述透氣鋼(1)設(shè)置在所述區(qū)域中，所述透氣鋼(1)四周設(shè)置所述密封圈(2)，所述凸臺(tái)(3)下表面設(shè)置所述吸真空口(4)。