[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010974947.8
• 申請日: 2020-09-16
• 公開（公告）號: CN112530899A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 張豐愿;諾·穆罕默德·艾杜維蒂爾;黃博祥;詹森博;陳明發;劉欽洲;鄭儀侃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

金屬化層，位于襯底上方；

電源網格線，位于所述金屬化層內；

第一信號焊盤，位于所述金屬化層內并且由所述電源網格線圍繞；以及

信號外部連接件，電連接至所述第一信號焊盤。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括物理地接觸所述第一信號焊盤和所述信號外部連接件的接合焊盤通孔跡線。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括接合至所述信號外部連接件的半導體器件。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，利用混合接合來接合所述半導體器件。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括位于所述金屬化層內并且由所述電源網格線圍繞的第二信號焊盤。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一信號焊盤通過介電材料與所述電源網格線分開。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述介電材料具有在0.45μm和1.35μm之間的寬度。

8.一種半導體器件，包括：

第一半導體器件的信號連接件；

所述第一半導體器件的通孔，物理地接觸所述信號連接件和金屬化層的第一導電部分；以及

電源網格，位于所述金屬化層內，其中，所述電源網格的第一單線圍繞所述第一導電部分。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括：

所述金屬化層的第二導電部分；

所述電源網格的第二單線，圍繞所述第二導電部分，所述第二單線不同于所述第一單線；以及

所述第一半導體器件的第二通孔，物理地接觸所述金屬化層的所述第二導電部分和第二外部連接件。

10.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

在第一半導體襯底上方形成第一金屬化層，該第一金屬化層包括具有第一線的電源網格和信號連接件器，所述第一線沿著第一方向具有第一寬度，所述信號連接件器與所述第一線的至少兩側相鄰，所述信號連接件器沿著所述第一方向具有小于所述第一寬度的第二寬度；以及

形成與所述信號連接件器電連接的接合焊盤金屬跡線。