[發明專利]包括存儲器單元及選擇柵極的組合件

在審

• 申請號: 202010973610.5
• 申請日: 2020-09-16
• 公開（公告）號: CN112530973A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: J·D·霍普金斯;G·瑪塔米斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種組合件，其包括：

存儲器堆疊，其包括電介質層級及導電層級；

選擇柵極結構，其在所述存儲器堆疊上方；

溝槽，其延伸穿過所述選擇柵極結構；所述溝槽沿著橫截面具有第一側及相對的第二側；所述溝槽將所述選擇柵極結構分成第一選擇柵極配置及第二選擇柵極配置；

空隙，其在所述溝槽內且橫向地在所述第一選擇柵極配置與所述第二選擇柵極配置之間；

通道材料柱，其延伸穿過所述存儲器堆疊；及

存儲器單元，其沿著所述通道材料柱。

2.根據權利要求1所述的組合件，其中所述空隙是所述溝槽內沿著所述橫截面的唯一空隙。

3.根據權利要求1所述的組合件，其包括在所述空隙上方且密封所述空隙的上部區的絕緣組合物。

4.根據權利要求3所述的組合件，其中所述絕緣組合物包括小于約3.9的介電常數。

5.根據權利要求4所述的組合件，其中所述絕緣組合物包括多孔二氧化硅。

6.根據權利要求4所述的組合件，其中所述絕緣組合物包括摻雜有碳、硼及磷中的一或多者的二氧化硅。

7.一種組合件，其包括：

第一堆疊，其包括交替的第一電介質層級及第一導電層級；

絕緣層級，其在所述第一堆疊上方；

第二堆疊，其在所述絕緣層級上方；所述第二堆疊包括交替的第二電介質層級及第二導電層級；

通道材料柱，其延伸穿過所述第一堆疊；一些所述通道材料柱與第一子塊相關聯且其它所述通道材料柱與第二子塊相關聯；

存儲器單元，其沿著所述通道材料柱；

溝槽，其延伸穿過所述第二堆疊；所述溝槽沿著橫截面具有第一側及相對的第二側；

第一選擇柵極配置，其沿著所述溝槽的所述第一側且與所述第一子塊相關聯；

第二選擇柵極配置，其沿著所述溝槽的所述第二側且與所述第二子塊相關聯；

所述第一選擇柵極配置及所述第二選擇柵極配置包含所述第二堆疊的所述第二導電層級；且

所述第一選擇柵極配置及所述第二選擇柵極配置沿著所述橫截面通過中介絕緣區而彼此橫向隔開；所述中介絕緣區包含空隙。

8.根據權利要求7所述的組合件，其中所述通道材料柱至少部分地延伸穿過所述第二堆疊。

9.根據權利要求7所述的組合件，其中所述空隙的至少上部區用絕緣組合物密封。

10.根據權利要求9所述的組合件，其中所述絕緣組合物在所述空隙上方且在所述空隙下方。

11.根據權利要求9所述的組合件，其中所述絕緣組合物在所述空隙上方且不在所述空隙下方。

12.根據權利要求9所述的組合件，其中所述絕緣組合物在所述空隙上方，在所述空隙下方，且完全沿著所述空隙的側壁。

13.根據權利要求9所述的組合件，其中所述絕緣組合物在所述空隙上方，在所述空隙下方，且不完全沿著所述空隙的側壁。

14.根據權利要求9所述的組合件，其中所述絕緣組合物包括二氧化硅。

15.根據權利要求9所述的組合件，其中所述絕緣組合物包括多孔二氧化硅。

16.根據權利要求9所述的組合件，其中所述絕緣組合物包括多孔氮化硅。

17.根據權利要求9所述的組合件，其中所述絕緣組合物包括摻雜有碳、硼及磷中的一或多者的二氧化硅。