[發明專利]一種MoS2 在審
| 申請號： | 202010973579.5 | 申請日： | 2020-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN112079386A | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發明（設計）人： | 李金華;石凱熙;翟英嬌;楚學影 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | C01G39/06 | 分類號： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 北京市誠輝律師事務所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 130022 *** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mos base sub | ||
1.一種MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，其特征在于，將S源置于雙溫區管式爐的低溫區，將Mo源和襯底置于雙溫區管式爐的高溫區，保證S源過量，在氬氣環境中，保持高溫區Mo源生長溫度700℃不變，將低溫區S源生長溫度升溫至160℃-170℃，并持續反應一定時間，待管式爐自然冷卻后，得到MoS2二維材料。
2.根據權利要求1所述的MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，其特征在于，S源為S粉，Mo源為MoO3粉末。
3.根據權利要求1所述的MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，其特征在于，Mo源與S源中Mo：S原子的比例1:2。
4.根據權利要求3所述的MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，其特征在于，S粉與MoO3粉末質量比為4:1。
5.根據權利要求1所述的MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，其特征在于，反應時間為60min。
6.根據權利要求1所述的MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，其特征在于，所述襯底為SiO2/Si基片，所SiO2/Si基片SiO2的厚度為300nm。
7.根據權利要求1所述的MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，其特征在于，低溫區S源生長溫度升溫至170℃。
8.根據權利要求2所述的MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，其特征在于，所述方法的具體步驟為：
步驟一、將襯底分別在三氯乙烯、丙酮、乙醇溶液中超聲清洗，再用去離子水清洗襯底表面并用高純N2吹干；
步驟二、稱量S粉和MoO3粉末，分別置于剛玉舟內，并將已清洗的襯底平放在剛玉舟上，將盛有S粉的剛玉舟置于雙溫區管式爐的低溫區，再將盛有MoO3的剛玉舟和襯底置于管式爐的高溫區；
步驟三、先通入使用氬氣對管式爐的反應腔體吹掃，以排除石英管內空氣，然后再將氬氣作為保護氣體，整個反應過程在氬氣境中進行；
步驟四：將S源所在低溫區升溫至160℃-170℃，將Mo源所在高溫區升溫至700℃，生長時間1小時，待管式爐自然冷卻后，得到雙層MoS2二維材料。
9.根據權利要求8所述的MoS2二維材料S空位缺陷調控的制備方法，步驟三中，以流量為70sccm通入氬氣吹掃管式爐的反應腔體，吹掃時間為30～40分鐘；以流量15～20sccm通入氬氣作為保護氣體，直至反應結束。
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