[發(fā)明專利]TFT器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010972995.3
• 申請日: 2020-09-16
• 公開（公告）號: CN112071916A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 聶曉輝
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L23/552;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本發(fā)明提供一種TFT器件及其制備方法、陣列基板，該TFT器件至少包括襯底、嵌設(shè)于襯底內(nèi)的折射層、位于折射層表面的遮光層、覆蓋遮光層的緩沖層以及位于緩沖層表面的有源層；折射層包括陣列分布的反射塊，反射塊一端嵌設(shè)襯底的內(nèi)部，另一端貼合于遮光層表面，反射塊內(nèi)填充有金屬鉬，當(dāng)外界光線照射到反射塊表面時，會發(fā)生全反射，射出襯底，降低光透率同時增強反射面光反射，提高遮光能力，降低TFT光生漏電流。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT器件及其制備方法、陣列基板。

背景技術(shù)

薄膜晶體管陣列基板是平板顯示裝置的重要組成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作為開關(guān)裝置和驅(qū)動裝置用在如LCD顯示裝置與OLED顯示裝置中。

有源矩陣式薄膜晶體管TFT器件是像素電路的核心器件，由有源層、柵絕緣層、柵電極和源漏極構(gòu)成。對于TFT器件，最核心起作用的是半導(dǎo)體有源層，目前主流的材料為非晶硅和多晶硅p-Si。其中，低溫多晶硅薄膜晶體管LTPS-TFT具有制備溫度低，載流子遷移率高，器件尺寸小等突出優(yōu)點，是發(fā)展低功耗、高集成度顯示面板的關(guān)鍵技術(shù)。

為抑制LTPS-TFT器件在光照條件下產(chǎn)生光生電流，避免TFT自動開啟，目前主流的技術(shù)手段是在制作LTPS-TFT之前沉積一層鉬金屬薄膜，通過曝光、顯影、蝕刻等工藝將金屬薄膜圖形化，形成LTPS-TFT溝道遮光層，為保證非金屬膜層的臺階覆蓋性，遮光層一般只有500～800埃，在強光照射下仍有部分光可以穿過照射到多晶硅上，導(dǎo)致光生漏電流的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種TFT器件及其制備方法，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中制作LTPS-TFT之前沉積一層鉬金屬薄膜，通過曝光、顯影、蝕刻等工藝將金屬薄膜圖形化，形成LTPS-TFT溝道遮光層，為保證非金屬膜層的臺階覆蓋性，遮光層一般只有500～800埃，在強光照射下仍有部分光可以穿過照射到多晶硅上，導(dǎo)致光生漏電流的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實施例提供一種TFT器件，包括襯底、位于所述襯底上的遮光層、以及位于所述襯底與所述遮光層之間的折射層。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述折射層包括陣列分布的反射塊，所述反射塊的一側(cè)嵌設(shè)于所述襯底的內(nèi)部，所述反射塊的相對另一側(cè)貼合于所述遮光層表面。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述襯底表面形成有具有反射面的凹槽，所述凹槽內(nèi)填充有金屬鉬，形成所述反射塊。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述反射塊的截面形狀為等腰三角形，且所述等腰三角形的頂角垂直插入所述襯底的內(nèi)部，當(dāng)外界光線照射到該等腰三角形的兩腰上時，會發(fā)生全反射，將光線導(dǎo)出所述襯底。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述反射塊的垂直高度等于或小于所述遮光層的厚度。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述反射塊的截面形狀為波浪線或鋸齒形。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層，所述折射層包括第一折射層和第二折射層，其中，所述第一折射層位于所述第一遮光層與所述襯底之間，所述第二折射層位于所述第二遮光層與所述襯底之間，所述第一遮光層覆蓋所述第一折射層，所述第二遮光層覆蓋所述第二折射層。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述第一遮光層和所述第二遮光層的厚度均為50nm至80nm范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述TFT器件還包括覆蓋所述遮光層的緩沖層、位于所述緩沖層表面的有源層，所述有源層為U型，所述第一遮光層和所述第二遮光層分別對稱分布在U型的兩側(cè)上，所述緩沖層和所述有源層側(cè)面呈光滑過渡。

依據(jù)上述TFT器件，本發(fā)明還提供一種TFT器件的制備方法，包括：