[發明專利]TFT器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010972995.3
• 申請日: 2020-09-16
• 公開（公告）號: CN112071916A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 聶曉輝
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L23/552;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種TFT器件，其特征在于，包括襯底、位于所述襯底上的遮光層、以及位于所述襯底與所述遮光層之間的折射層。

2.根據權利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述折射層包括陣列分布的反射塊，所述反射塊的一側嵌設于所述襯底的內部，所述反射塊的相對另一側貼合于所述遮光層表面。

3.根據權利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述襯底表面形成有具有反射面的凹槽，所述凹槽內填充有金屬鉬，形成所述反射塊。

4.根據權利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述反射塊的截面形狀為等腰三角形，且所述等腰三角形的頂角垂直插入所述襯底的內部，當外界光線照射到該等腰三角形的兩腰上時，會發生全反射，將光線導出所述襯底。

5.根據權利要求4所述的TFT器件，其特征在于，所述反射塊的垂直高度等于或小于所述遮光層的厚度。

6.根據權利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述反射塊的截面形狀為波浪線或鋸齒形。

7.根據權利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層，所述折射層包括第一折射層和第二折射層，其中，所述第一折射層位于所述第一遮光層與所述襯底之間，所述第二折射層位于所述第二遮光層與所述襯底之間，所述第一遮光層覆蓋所述第一折射層，所述第二遮光層覆蓋所述第二折射層。

8.根據權利要求7所述的TFT器件，其特征在于，所述第一遮光層和所述第二遮光層的厚度均為50nm至80nm范圍內。

9.根據權利要求8所述的TFT器件，其特征在于，所述TFT器件還包括覆蓋所述遮光層的緩沖層、位于所述緩沖層表面的有源層，所述有源層為U型，所述第一遮光層和所述第二遮光層分別對稱分布在U型的兩側上，所述緩沖層和所述有源層側面呈光滑過渡。

10.一種TFT器件的制備方法，其特征在于，包括：

步驟S10，提供一襯底，使用掩膜版通過曝光蝕刻工藝在所述襯底上制作凹槽，形成凹凸不平的粗化表面；

步驟S20，在所述凹槽內填充金屬鉬以形成折射層，其中，所述折射層包括陣列分布的反射塊，所述反射塊一端嵌設所述襯底的內部；

步驟S30，在所述折射層表面制備遮光層，且所述遮光層覆蓋所述折射層。