[發(fā)明專利]紅光LED的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010971706.8 | 申請(qǐng)日： | 2020-09-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112289904B | 公開（公告）日： | 2022-06-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 肖和平;朱迪;郭磊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/32 | 分類號(hào)： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紅光 led 制作方法 | ||
本公開提供了一種紅光LED的制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括：在GaAs襯底上依次生長(zhǎng)腐蝕停止層、N型接觸層、N型限制層、發(fā)光層、P型限制層、P型接觸層；將轉(zhuǎn)移基板鍵合在P型接觸層上；依次去除GaAs襯底和腐蝕停止層；在N型接觸層上形成第一鍵合金屬層，并采用等離子束清潔第一鍵合金屬層的表面；在Si襯底上形成第二鍵合金屬層，并采用等離子束清潔第二鍵合金屬層的表面，第二鍵合金屬層的材料與第一鍵合金屬層的材料相同；將第二鍵合金屬層和第一鍵合金屬層相貼放入真空腔內(nèi)，使第二鍵合金屬層和第一鍵合金屬層鍵合在一起；脫離轉(zhuǎn)移基板，露出P型接觸層；設(shè)置P型電極和N型電極。本公開可提高發(fā)光效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種紅光LED的制作方法。
背景技術(shù)
LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體器件。隨著多年的技術(shù)研究開發(fā)，紅光LED的外延和芯片技術(shù)都非常成熟。
紅光LED的外延技術(shù)主要是在GaAs襯底上外延生長(zhǎng)AlGaInP材料。由于AlGaInP與GaAs之間的晶格匹配度較好，因此外延生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的位錯(cuò)較少，AlGaInP材料內(nèi)部的量子效率超過(guò)95％。但是GaAs的能隙較小，會(huì)吸收AlGaInP材料發(fā)出的光線，導(dǎo)致紅光LED的光提取效率較低。
為了提高光提取效率，紅光LED的芯片技術(shù)在AlGaInP材料上鍍薄膜，將薄膜與透明基板在高溫高壓下進(jìn)行鍵合，并去除GaAs襯底。但是鍵合過(guò)程中高溫高壓的處理方式會(huì)影響到AlGaInP材料的光電性能，造成紅光LED的發(fā)光效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本公開實(shí)施例提供了一種紅光LED的制作方法，可以改變鍵合過(guò)程中的溫度和壓力，避免影響到AlGaInP材料的光電性能，保證紅光LED的發(fā)光效率。所述技術(shù)方案如下：
本公開實(shí)施例提供了一種紅光LED的制作方法，所述制作方法包括：
在GaAs襯底上依次生長(zhǎng)腐蝕停止層、N型接觸層、N型限制層、發(fā)光層、P型限制層、P型接觸層；
在所述P型接觸層上形成氧化硅薄膜，在轉(zhuǎn)移基板上涂覆光刻膠，并利用壓力將所述光刻膠鍵合在所述氧化硅薄膜上；
依次去除所述GaAs襯底和所述腐蝕停止層，露出所述N型接觸層；
在所述N型接觸層上形成第一鍵合金屬層，并采用等離子束清潔所述第一鍵合金屬層的表面；
在Si襯底上形成第二鍵合金屬層，并采用所述等離子束清潔所述第二鍵合金屬層的表面，所述第二鍵合金屬層的材料與所述第一鍵合金屬層的材料相同；
將所述第二鍵合金屬層和所述第一鍵合金屬層相貼放入真空腔內(nèi)，使所述第二鍵合金屬層和所述第一鍵合金屬層鍵合在一起；
對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，將所述轉(zhuǎn)移基板從所述氧化硅薄膜上脫離；
去除所述氧化硅薄膜，露出所述P型接觸層；
在所述P型接觸層上設(shè)置P型電極，在所述Si襯底上設(shè)置N型電極。
可選地，所述第一鍵合金屬層的材料和所述第二鍵合金屬層的材料為Au。
可選地，所述等離子束由Ar離子組成。
可選地，所述等離子束的能量為20eV～50eV，所述等離子束的清潔時(shí)間為10min～30min。
可選地，所述真空腔內(nèi)的真空度為10-7Pa～10-5Pa。
可選地，所述N型接觸層為N型GaAs層，所述制作方法還包括：
在所述N型接觸層上形成第一鍵合金屬層之前，在所述N型接觸層內(nèi)沿垂直于所述N型接觸層的生長(zhǎng)方向的方向開設(shè)凹槽；
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