[發(fā)明專利]紅光LED的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010971706.8 | 申請日： | 2020-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN112289904B | 公開（公告）日： | 2022-06-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 肖和平;朱迪;郭磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紅光 led 制作方法 | ||
1.一種紅光LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在GaAs襯底上依次生長腐蝕停止層、N型接觸層、N型限制層、發(fā)光層、P型限制層、P型接觸層；
在所述P型接觸層上形成氧化硅薄膜，在轉(zhuǎn)移基板上涂覆光刻膠，并利用壓力將所述光刻膠鍵合在所述氧化硅薄膜上；
依次去除所述GaAs襯底和所述腐蝕停止層，露出所述N型接觸層；
在所述N型接觸層上形成第一鍵合金屬層，并采用等離子束清潔所述第一鍵合金屬層的表面，所述等離子束由Ar離子組成，所述等離子束的能量為20eV～50eV，所述等離子束的清潔時間為10min～30min；
在Si襯底上形成粘附金屬層，所述粘附金屬層包括依次層疊在所述Si襯底上的Ti層和Pt層；
在所述粘附金屬層上形成第二鍵合金屬層，并采用所述等離子束清潔所述第二鍵合金屬層的表面，所述第一鍵合金屬層的材料和所述第二鍵合金屬層的材料均為Au；
將所述第二鍵合金屬層和所述第一鍵合金屬層相貼放入真空腔內(nèi)，使所述第二鍵合金屬層和所述第一鍵合金屬層鍵合在一起，鍵合溫度為25℃～30℃；
對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，將所述轉(zhuǎn)移基板從所述氧化硅薄膜上脫離；
去除所述氧化硅薄膜，露出所述P型接觸層；
采用PLD技術(shù)在所述P型接觸層上形成AZO薄膜，所述AZO薄膜的折射率2.0～2.2，所述AZO薄膜的電流擴(kuò)展長度為150微米～180微米，所述AZO薄膜包括
在所述P型接觸層上設(shè)置P型電極，在所述Si襯底上設(shè)置N型電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述真空腔內(nèi)的真空度為10-7Pa～10-5Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述N型接觸層為N型GaAs層，所述制作方法還包括：
在所述N型接觸層上形成第一鍵合金屬層之前，在所述N型接觸層內(nèi)沿垂直于所述N型接觸層的生長方向的方向開設(shè)凹槽；
在所述N型接觸層上形成第一鍵合金屬層之后，所述凹槽內(nèi)填滿所述第一鍵合金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述N型接觸層中N型摻雜劑的摻雜濃度在1019/cm3以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：
在所述N型接觸層上形成第一鍵合金屬層之前，在所述N型接觸層上形成接觸金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：
在采用PLD技術(shù)在所述P型接觸層上形成AZO薄膜之前，對所述P型接觸層的表面進(jìn)行粗化，形成多個圓錐狀凸起。
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