[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓缺陷源在線定位方法及其定位系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010971587.6
• 申請(qǐng)日: 2020-09-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112201586A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉殳平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓缺陷源在線定位方法，包括：編輯Klarity坐標(biāo)信息獲得合格die點(diǎn)坐標(biāo)；通過(guò)聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面，獲得第一縱向剖面圖，第一縱向剖面圖是缺陷位置的縱向剖面圖；通過(guò)聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面獲得第二縱向剖面圖，第二縱向剖面圖是合格die點(diǎn)坐標(biāo)在缺陷晶圓對(duì)應(yīng)位置的縱向剖面圖；第二縱向剖面圖和第一縱向剖面圖比較找差異位置，定位缺陷源。本發(fā)明還公開(kāi)了一種晶圓缺陷源在線定位系統(tǒng)。本發(fā)明通過(guò)聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面得到合格die的坐標(biāo)位置和缺陷die位置的縱向剖面圖，通過(guò)比較縱向剖面圖的差異，能快速準(zhǔn)確的定位缺陷源頭。本發(fā)明可以在不停機(jī)的情況下快速準(zhǔn)確定位缺陷源，能大幅度提高處理難以處理的urgent case的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于晶圓缺陷檢測(cè)工藝中的晶圓缺陷源在線定位方法。本發(fā)明還涉及一種用于晶圓缺陷檢測(cè)工藝中的晶圓缺陷源快速定位系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在大型集成電路晶圓生產(chǎn)過(guò)程中，隨著產(chǎn)品的多元化，每個(gè)產(chǎn)品都需要有站點(diǎn)去監(jiān)控缺陷狀況，以防止因掃描站點(diǎn)的缺失導(dǎo)致大量晶圓遭受相同缺陷，從而導(dǎo)致產(chǎn)品良率的下降。

在芯片制造領(lǐng)域的常規(guī)的操作流程，是通過(guò)缺陷檢測(cè)掃描電鏡圖像比較、大數(shù)據(jù)分析等方式計(jì)算得出缺陷圖形，然后將數(shù)據(jù)文件導(dǎo)入到良率提升部門(mén)缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)機(jī)臺(tái)進(jìn)行觀測(cè)。在某些情況下，例如Urgent case需要快速有效的得到缺陷源Defect Source，使用FIB(聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam)可以很快得到縱向剖面圖，但是不能完全聚焦到目標(biāo)位置，由于晶圓生產(chǎn)都是不間斷的，如果不能快速解決在線快速準(zhǔn)確定位缺陷源的技術(shù)問(wèn)題，將炎癥影響生產(chǎn)效率和經(jīng)濟(jì)效益，因此急需一種快速準(zhǔn)確定位缺陷源頭的方法。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,該簡(jiǎn)化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)化，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能在線快速和準(zhǔn)確定位晶圓缺陷源的晶圓缺陷源線定位方法。

本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問(wèn)題是提供一種能在線快速和準(zhǔn)確定位晶圓缺陷源的晶圓缺陷源線定位系統(tǒng)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的晶圓缺陷源在線定位方法，包括以下步驟：

S1，編輯Klarity坐標(biāo)信息獲得合格die點(diǎn)坐標(biāo)；

S2，通過(guò)聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面，獲得第一縱向剖面圖，第一縱向剖面圖是缺陷位置的縱向剖面圖；

S3，通過(guò)聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面獲得第二縱向剖面圖，第二縱向剖面圖是合格die點(diǎn)坐標(biāo)在缺陷晶圓對(duì)應(yīng)位置的縱向剖面圖；

S4，第二縱向剖面圖和第一縱向剖面圖比較找差異位置，定位缺陷源。

可選擇的，進(jìn)一步改進(jìn)所述的晶圓缺陷源在線定位方法，實(shí)施步驟S1和S2時(shí)，聚焦離子束轟擊的電壓范圍為25kV～35kV，電流范圍為9nA～47nA。

可選擇的，進(jìn)一步改進(jìn)所述的晶圓缺陷源在線定位方法，其能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工藝。

可選擇的，進(jìn)一步改進(jìn)所述的晶圓缺陷源在線定位方法，其能用于邏輯半導(dǎo)體器件、存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件、射頻半導(dǎo)體器件、高壓半導(dǎo)體器件、電源半導(dǎo)體器件、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、CIS半導(dǎo)體器件、Flash半導(dǎo)體器件、eFlash半導(dǎo)體器件和/或背面工藝的缺陷源定位。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種晶圓缺陷源快速定位系統(tǒng)，包括：