[發(fā)明專利]晶圓缺陷源在線定位方法及其定位系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010971587.6
• 申請(qǐng)日: 2020-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN112201586A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉殳平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種晶圓缺陷源在線定位方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，編輯Klarity坐標(biāo)信息獲得合格die點(diǎn)坐標(biāo)；

S2，通過聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面，獲得第一縱向剖面圖，第一縱向剖面圖是缺陷位置的縱向剖面圖；

S3，通過聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面獲得第二縱向剖面圖，第二縱向剖面圖是合格die點(diǎn)坐標(biāo)在缺陷晶圓對(duì)應(yīng)位置的縱向剖面圖；

S4，第二縱向剖面圖和第一縱向剖面圖比較找差異位置，定位缺陷源。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷源在線定位方法，其特征在于：實(shí)施步驟S1和S2時(shí)，聚焦離子束轟擊的電壓為25kV～35kV，電流范圍為9nA～47nA。

3.如權(quán)利要求1或2任意一項(xiàng)所述的晶圓缺陷源在線定位方法，其特征在于：其能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工藝。

4.如權(quán)利要求1或2任意一項(xiàng)所述的晶圓缺陷源在線定位方法，其特征在于：其能用于邏輯半導(dǎo)體器件、存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件、射頻半導(dǎo)體器件、高壓半導(dǎo)體器件、電源半導(dǎo)體器件、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、CIS半導(dǎo)體器件、Flash半導(dǎo)體器件、eFlash半導(dǎo)體器件和/或背面工藝的缺陷源定位。

5.一種晶圓缺陷源快速定位系統(tǒng)，其特征在于，包括：

坐標(biāo)獲取模塊，其通過編輯Klarity坐標(biāo)信息獲得合格die點(diǎn)坐標(biāo)；

縱向剖面圖生成模塊，其通過聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面，獲得第一縱向剖面圖，第一縱向剖面圖是缺陷位置的縱向剖面圖；

其通過聚焦離子束轟擊缺陷晶圓表面獲得第二縱向剖面圖，第二縱向剖面圖是合格die點(diǎn)坐標(biāo)在缺陷晶圓對(duì)應(yīng)位置的縱向剖面圖；

定位模塊，其用于將第二縱向剖面圖和第一縱向剖面圖比較查找差異位置，定位缺陷源。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓缺陷源在線定位方法，其特征在于：聚焦離子束轟擊的電壓范圍為25kV～35kV，電流范圍為9nA～47nA。

7.如權(quán)利要求5或6任意一項(xiàng)所述的晶圓缺陷源快速定位系統(tǒng)，其特征在于：其能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工藝。

8.如權(quán)利要求5或6任意一項(xiàng)所述的晶圓缺陷源快速定位系統(tǒng)，其特征在于：其能用于邏輯半導(dǎo)體器件、存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件、射頻半導(dǎo)體器件、高壓半導(dǎo)體器件、電源半導(dǎo)體器件、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、CIS半導(dǎo)體器件、Flash半導(dǎo)體器件、eFlash半導(dǎo)體器件和/或背面工藝的缺陷源定位。