[發明專利]激光投影虛擬校正設備和方法有效
| 申請號: | 202010969668.2 | 申請日: | 2020-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN112025547B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 崔娟 | 申請(專利權)人: | 泉芯集成電路制造(濟南)有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/34 | 分類號: | B24B37/34;B24B49/12 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 劉曾 |
| 地址: | 250000 山東省濟南市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 投影 虛擬 校正 設備 方法 | ||
本發明的實施例提供了一種激光投影虛擬校正設備和方法,涉及半導體技術領域,該激光投影虛擬校正設備包括轉動設置在一腔室內的研磨平臺、設置在研磨平臺上以實現晶片研磨的研磨組件,以及設置在腔室的頂部和/或側壁上的激光投影器;其中,激光投影器用于向研磨平臺發射激光,并在研磨平臺上形成與預設圖像信息相匹配的定位投影。相較于現有技術中的實體治具,本發明通過激光形成虛擬治具,從而使得在校正過程中研磨平臺與激光投影器之間沒有直接接觸,不會造成污染,也無需更換耗材,降低了耗材成本。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,具體而言,涉及一種激光投影虛擬校正設備和方法。
背景技術
隨著半導體工業的飛速發展,電子器件尺寸縮小,同時要求晶片表面平整度達到納米級。傳統的研磨技術,僅僅能夠實現晶片的局部平坦化,但是當最小特征尺寸達到0.25μm以下時,需要進行全局平坦化,而在半導體領域,通常是利用化學機械研磨拋光技術(CMP,chemical mechanical polish)來實現的,在化學機械研磨機進行工作前,需要對研磨平臺上的各部件進行校正。
現有技術中,研磨平臺上各部件位置校正方式是使用一組實體治具放置在研磨平臺上進行校正,每次校正完因避免污染,需重新更換耗材,造成耗材的浪費。
發明內容
本發明的目的包括,例如,提供了一種激光投影虛擬校正設備和方法,其能夠通過激光形成虛擬治具,不會造成污染,也無需更換耗材,降低耗材成本。
本發明的實施例可以這樣實現:
第一方面,本發明實施例提供一種激光投影虛擬校正設備,包括:
轉動設置在一腔室內的研磨平臺;
設置在所述研磨平臺上以實現晶片研磨的研磨組件;
以及,設置在所述腔室的頂部和/或側壁上的激光投影器;
其中,所述激光投影器用于向所述研磨平臺發射激光,并在研磨平臺上形成與預設圖像信息相匹配的定位投影。
在可選的實施方式中,所述激光投影器包括第一激光器和第二激光器,所述腔室的頂部設置有第一固定架,所述第一激光器設置在所述第一固定架上;所述腔室的側壁設置有第二固定架,所述第二激光器設置在所述第二固定架上,所述第一激光器和所述第二激光器發射的激光在所述研磨平臺上共同形成所述定位投影。
在可選的實施方式中,所述定位投影為點投影、線投影或圖形投影。
在可選的實施方式中,所述研磨組件包括研磨液供給臂和研磨頭,所述研磨液供給臂的出料口與所述研磨平臺相對應,用于供應帶有磨料的研磨液至所述研磨平臺的表面;所述研磨頭設置在所述研磨平臺上,用于固持并旋轉所述晶片,并使得所述晶片的表面與所述研磨液和所述研磨平臺的表面相接觸。
在可選的實施方式中,所述研磨組件還包括鉆石整理器,所述鉆石整理器設置在所述研磨平臺上,并與所述研磨頭間隔設置,用于修整所述研磨平臺,以提高所述研磨平臺的表面粗糙度。
在可選的實施方式中,所述研磨平臺上設置有研磨墊,所述研磨組件設置在所述研磨墊上,所述激光投影器發射的激光在所述研磨墊上形成所述定位投影。
在可選的實施方式中,所述激光投影器包括激光生成模塊、圖像接收模塊和供電模塊,所述圖像接收模塊與所述激光生成模塊電連接,所述圖像接收模塊用于獲取所述預設圖像信息,所述激光生成模塊用于依據所述預設圖像信息向所述研磨平臺發射激光,所述供電模塊與所述激光生成模塊電連接,用于向所述激光生成模塊供電。
在可選的實施方式中,所述供電模塊上設置有充電接頭,并內置有充電電池,所述充電電池與所述激光生成模塊電連接。
在可選的實施方式中,所述供電模塊上開設有電池槽,所述電池槽內可拆卸地裝配有干電池。
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