[發明專利]ITO靶材高純納米氧化銦錫粉體制造方法在審
| 申請號： | 202010969350.4 | 申請日： | 2020-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN112079378A | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發明（設計）人： | 丁金鐸;葛春橋;崔恒;柳春錫;金志洸;王夢涵 | 申請（專利權）人： | 中山智隆新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C01G19/00 | 分類號： | C01G19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 廣東科信啟帆知識產權代理事務所(普通合伙) 44710 | 代理人： | 吳少東 |
| 地址： | 528400 廣東省中山市板芙鎮居委會*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ito 高純 納米 氧化 銦錫粉 體制 方法 | ||
1.ITO靶材高純納米氧化銦錫粉體制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
a、將草酸銦(In2(C2O4)3)和草酸錫(Sn(C2O4)2)按照7.7～8.7：1的質量比例溶解于去離子水中形成透明的水溶液；或將乙酸銦(In(C2H3O2)3)和乙酸錫(Sn(C2H3O2)4)按照11.4～12.4：1的質量比例溶解于去離子水中形成透明的水溶液；
b、將尿素或碳酸銨或碳酸氫銨溶解于上述去離子水中形成透明的水溶液其濃度為0.4～0.8mol/L；
c、將上述兩種溶液混合后轉入反應釜中，然后將反應釜置入烘箱中進行水熱反應制備納米氧化錫銦粉體。
2.根據權利要求1所述的ITO靶材高純納米氧化銦錫粉體制造方法，其特征在于，所述的水熱反應溫度：60～150℃，反應時間：30min～5h。
3.根據權利要求1所述的ITO靶材高純納米氧化銦錫粉體制造方法，其特征在于，所述的銦鹽與錫鹽水溶液的濃度分別為0.05～0.5mol/L與0.005～0.02mol/L。
4.根據權利要求1所述的ITO靶材高純納米氧化銦錫粉體制造方法，其特征在于，所述的銨鹽水溶液的濃度為0.08～0.6mol/L。
5.根據權利要求1所述的ITO靶材高純納米氧化銦錫粉體制造方法，其特征在于，所述的草酸銦(In2(C2O4)3)和草酸錫(Sn(C2O4)2)按照8.19：1或7.7：1或8.7：1的比例溶解于去離子水中形成透明的水溶液。
6.根據權利要求1所述的ITO靶材高純納米氧化銦錫粉體制造方法，其特征在于，所述的乙酸銦(In(C2H3O2)3)和乙酸錫(Sn(C2H3O2)4)按照11.89：1或11.4：1或12.4：1的比例溶解于去離子水中形成透明的水溶液。
7.根據權利要求1所述的ITO靶材高純納米氧化銦錫粉體制造方法，其特征在于，所述的尿素或碳酸銨或碳酸氫銨溶解于上述去離子水中形成透明的水溶液其濃度為0.4或0.6或0.8mol/L。
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