[發(fā)明專利]一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010968029.4 | 申請日： | 2020-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN112038611A | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙霞;李文文;李興旺;馬華 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津市捷威動力工業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/36 | 分類號： | H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/052 |
| 代理公司： | 天津?yàn)I海科緯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211 | 代理人： | 薛萌萌 |
| 地址： | 300380 天津*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 三元 正極 片壓實(shí) 密度 提升 方法 | ||
1.一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：至少包括如下步驟：將大粒徑的LiNizCoxMnyO2二次顆粒與小粒徑的LiNizCoxMnyO2單晶顆粒混合得到正極材料混合物，其中Z≥0.6且X+Y+Z＝1.0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：所述大粒徑的LiNizCoxMnyO2二次顆粒與小粒徑的LiNizCoxMnyO2單晶顆粒混合的質(zhì)量比為7:3-5:5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：所述正極材料混合物的層孔隙率為20％-30％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：所述LiNizCoxMnyO2二次顆粒的中值粒徑為9-15μm，所述LiNizCoxMnyO2單晶顆粒的中值粒徑為2-6μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：所述LiNizCoxMnyO2二次顆粒為LiNizCoxMnyO2一次顆粒的團(tuán)聚體，LiNizCoxMnyO2二次顆粒的微觀形貌為二次球。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：所述LiNizCoxMnyO2單晶顆粒的微觀形貌為單晶。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：將所述的正極材料混合物與導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑、溶劑混合均勻后涂布于金屬箔材上，烘干、壓實(shí)得到高鎳三元正極片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：所述正極材料混合物的質(zhì)量占所述高鎳三元正極片質(zhì)量的90％-97％。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種高鎳三元正極片壓實(shí)密度的提升方法，其特征在于：所述導(dǎo)電劑為炭黑，導(dǎo)電石墨中的一種或兩種的混合物，所述粘結(jié)劑為聚偏氟乙烯。
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