[發明專利]一種存儲器件在審
| 申請號: | 202010967831.1 | 申請日: | 2020-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN112054034A | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 楊美音;崔巖;羅軍;許靜 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/1159 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
| 地址: | 100029 北京市朝陽*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 存儲 器件 | ||
本發明提供的一種存儲器件,包括:第一器件結構和第二器件結構,第一器件結構包括依次層疊的底電極、本征材料層、第一摻雜材料層、第二摻雜材料層和頂電極。第二器件結構包括襯底,位于襯底上的鰭部,覆蓋于鰭部的鐵電層,鐵電層上的柵極層,柵極層兩側露出的鰭部分別為源極和漏極。底電極與源極連接,頂電極與漏極連接。這樣,第一器件結構感光后產生光電流信號,光電流流入第二器件結構中,第二器件結構中預先存儲有圖像識別模型的訓練結果,從而能夠進行圖像的識別。由于第一器件結構為自驅動功能的PN結器件,無需額外的電流,能耗低,局限性較小,且第一器件結構的光吸收范圍較寬、響應速度較快,進一步提高了存儲器件的適用范圍。
技術領域
本發明涉及半導體器件及其制造領域,特別涉及一種存儲器件。
背景技術
圖像識別是人工智能的一個重要領域,圖像識別是指利用計算機對圖像進行處理、分析和理解,以識別各種不同模式的目標和對象的技術。
目前人工智能圖像識別主要是采用CMOS圖像傳感器的攝像頭采集圖像,圖像以數字信號的形式傳輸至計算機的內存儲器中,而后計算機的處理器將傳輸的圖像信息與內存儲器中預先存儲的圖像信息進行匹配,識別傳輸的圖像信息。
但是,人工智能圖像識別的過程需要外接電源才能實現,能耗較高,并且不適合應用于野外極端條件等特殊環境,具有較大的局限性。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種存儲器件,突破目前圖像識別的局限性。
為實現上述目的,本發明有如下技術方案:
一種存儲器件,包括:
第一器件結構和第二器件結構;
所述第一器件結構包括由下至上依次層疊的底電極、第一摻雜材料層、本征材料層、第二摻雜材料層和頂電極;
所述第二器件結構包括襯底,位于所述襯底上的鰭部,以及覆蓋于所述鰭部的鐵電層,所述鐵電層上的柵極層,所述柵極層兩側露出的鰭部分別為源極和漏極;
所述底電極與所述源極連接,所述頂電極與所述漏極連接。
可選的,所述鰭部和所述鐵電層之間還形成有絕緣層。
可選的,所述底電極與所述源極之間形成有第一開關,所述頂電極和所述漏極之間形成有第二開關。
可選的,所述底電極與所述源極通過第一金屬線或第一硅通孔連接,所述頂電極與所述漏極通過第二金屬線或第二硅通孔連接。
可選的,所述第一器件結構為可見光二極管、紅外光二極管或紫外光二極管。
一種存儲器件,包括:
第一器件結構和第二器件結構;
所述第一器件結構包括由下至上依次層疊的底電極、第一摻雜材料層、第二摻雜材料層和頂電極;
所述第二器件結構包括襯底,位于所述襯底上的鰭部,以及覆蓋于所述鰭部的鐵電層,所述鐵電層上的柵極層,所述柵極層兩側露出的鰭部分別為源極和漏極;
所述底電極與所述源極連接,所述頂電極與所述漏極連接。
可選的,所述鰭部和所述鐵電層之間還形成有絕緣層。
可選的,所述底電極與所述源極之間形成有第一開關,所述頂電極和所述漏極之間形成有第二開關。
可選的,所述底電極與所述源極通過第一金屬線或第一硅通孔連接,所述頂電極與所述漏極通過第二金屬線或第二硅通孔連接。
可選的,所述第一器件結構為可見光二極管、紅外光二極管或紫外光二極管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





