[發明專利]一種存儲器件在審
| 申請號： | 202010967831.1 | 申請日： | 2020-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN112054034A | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發明（設計）人： | 楊美音;崔巖;羅軍;許靜 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝陽*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 存儲 器件 | ||
1.一種存儲器件，其特征在于，包括：
第一器件結構和第二器件結構；
所述第一器件結構包括由下至上依次層疊的底電極、第一摻雜材料層、本征材料層、第二摻雜材料層和頂電極；
所述第二器件結構包括襯底，位于所述襯底上的鰭部，以及覆蓋于所述鰭部的鐵電層，所述鐵電層上的柵極層，所述柵極層兩側露出的鰭部分別為源極和漏極；
所述底電極與所述源極連接，所述頂電極與所述漏極連接。
2.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述鰭部和所述鐵電層之間還形成有絕緣層。
3.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述底電極與所述源極之間形成有第一開關，所述頂電極和所述漏極之間形成有第二開關。
4.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述底電極與所述源極通過第一金屬線或第一硅通孔連接，所述頂電極與所述漏極通過第二金屬線或第二硅通孔連接。
5.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述第一器件結構為可見光二極管、紅外光二極管或紫外光二極管。
6.一種存儲器件，其特征在于，包括：
第一器件結構和第二器件結構；
所述第一器件結構包括由下至上依次層疊的底電極、第一摻雜材料層、第二摻雜材料層和頂電極；
所述第二器件結構包括襯底，位于所述襯底上的鰭部，以及覆蓋于所述鰭部的鐵電層，所述鐵電層上的柵極層，所述柵極層兩側露出的鰭部分別為源極和漏極；
所述底電極與所述源極連接，所述頂電極與所述漏極連接。
7.根據權利要求6所述的存儲器件，其特征在于，所述鰭部和所述鐵電層之間還形成有絕緣層。
8.根據權利要求6所述的存儲器件，其特征在于，所述底電極與所述源極之間形成有第一開關，所述頂電極和所述漏極之間形成有第二開關。
9.根據權利要求6所述的存儲器件，其特征在于，所述底電極與所述源極通過第一金屬線或第一硅通孔連接，所述頂電極與所述漏極通過第二金屬線或第二硅通孔連接。
10.根據權利要求6所述的存儲器件，其特征在于，所述第一器件結構為可見光二極管、紅外光二極管或紫外光二極管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
