[發(fā)明專利]掩模組件、用于制造顯示設(shè)備的裝置和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010966090.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112779498A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金柾勛;晉丞民 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;康泉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模組 用于 制造 顯示 設(shè)備 裝置 方法 | ||
1.一種掩模組件,包括:
掩模框架,包括開口和圍繞所述開口的部分;以及
掩模,被布置在所述掩??蚣苌?,并且包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,其中,沉積材料可穿過與所述開口相對(duì)應(yīng)的所述第一區(qū)域,并且所述第二區(qū)域在所述第一區(qū)域周圍,
其中,所述第一區(qū)域包括沉積開口,并且
所述第二區(qū)域包括虛設(shè)開口,其中,所述虛設(shè)開口中的至少一些包括被布置成從連接所述沉積開口的中心的直線偏離的中心,并且
所述沉積開口中的每一個(gè)的寬度與所述虛設(shè)開口中的每一個(gè)的寬度相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述沉積開口中的每一個(gè)的平面形狀與所述虛設(shè)開口中的每一個(gè)的平面形狀相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述虛設(shè)開口包括第一開口和第二開口,并且
所述第一開口包括被布置成從連接所述沉積開口的所述中心的所述直線偏離的中心。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模組件,其中,所述第二開口包括被布置成從連接所述第一開口的所述中心的直線偏離的中心,并且
所述第一開口和所述第二開口交替布置在從所述沉積開口到所述虛設(shè)開口的第一方向上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模組件,其中,所述第二開口沿著與所述沉積開口相同的直線被布置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩模組件,其中,所述第二開口沿著與所述沉積開口相同的直線被布置的距離是恒定的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述沉積開口當(dāng)中的鄰近的沉積開口之間的第一距離與所述虛設(shè)開口當(dāng)中的鄰近的虛設(shè)開口之間的第二距離相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述掩模的寬度小于所述開口的寬度,并且
所述掩模組件包括多個(gè)掩模,所述多個(gè)掩模包括被布置在所述掩??蚣苌系乃鲅谀?。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述第二區(qū)域在所述第一區(qū)域與所述掩??蚣苤g。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述第二區(qū)域圍繞所述第一區(qū)域的至少一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述虛設(shè)開口中的至少一些被布置在與所述沉積開口相同的直線上。
12.一種掩模組件,包括:
掩模框架,包括開口和圍繞所述開口的部分;以及
掩模,被布置在所述掩??蚣苌?,并且包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,其中,沉積材料可穿過所述第一區(qū)域,并且所述第二區(qū)域在所述第一區(qū)域周圍,
其中,所述第一區(qū)域包括被配置為遮擋所述沉積材料并且在第一方向上延伸的多個(gè)第一部分,并且
所述多個(gè)第一部分當(dāng)中的第一部分連接到所述第二區(qū)域中的在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多個(gè)第二部分當(dāng)中的第二部分,并且
所述多個(gè)第一部分當(dāng)中的第一部分的寬度與所述多個(gè)第二部分當(dāng)中的第二部分的寬度相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的掩模組件,其中,所述多個(gè)第一部分當(dāng)中的第一部分連接到在與所述第一方向交叉的第三方向上延伸的多個(gè)第三部分當(dāng)中的第三部分。
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
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