[發明專利]基片處理控制方法、基片處理裝置和存儲介質

在審

• 申請號: 202010965656.2
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN112558417A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 鶴田豐久;小西儀紀
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供根據基片處理的狀態來適當地控制各種參數的基片處理控制方法、基片處理裝置和存儲介質。具有包含多個第一水準單元的第一要素和包含的多個第二水準單元的第二要素的基片處理裝置中的基片處理控制方法，其包括：獲取步驟，其對每個基片獲取包含確定進行了第一處理的第一水準單元的信息、確定進行了第二處理的第二水準單元的信息和關于基片的特性的特征量的信息的數據集；計算步驟，其基于數據集，計算包含特征量的預期值、相對于預期值的第一水準單元的水準單元偏差和相對于預期值的第二水準單元的水準單元偏差的信息；以及修正步驟，其基于在計算步驟中計算出的信息，修正第一水準單元的第一參數或者第二水準單元的第二參數。

技術領域

本發明涉及基片處理控制方法、基片處理裝置和存儲介質。

背景技術

專利文獻1公開了一種技術，在基片上形成了抗蝕劑圖案后測量其尺寸，基于該結果修正熱處理的處理溫度。此外，在專利文獻1中還記載了如下技術，在修正后的處理溫度下測量進行了熱處理的抗蝕圖案的尺寸，基于檢查結果修正曝光處理的處理條件。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009-267144號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供一種根據基片處理的狀態適當地控制各種參數的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式的基片處理控制方法是基片處理裝置中的基片處理控制方法，上述基片處理裝置包括：第一要素，其包含對基片進行基于第一參數的第一處理的多個第一水準單元；和第二要素，其包含對基片進行基于第二參數的第二處理的多個第二水準單元，上述基片處理控制方法包括：獲取步驟，其對在上述第一水準單元中進行了上述第一處理后在上述第二水準單元中進行了上述第二處理的多個基片的每一者，獲取數據集，上述數據集包含：確定進行了第一處理的上述第一水準單元的信息；確定進行了上述第二處理的第二水準單元的信息；和關于上述基片的特性的特征量的信息；計算步驟，其基于與上述多個基片的每一者對應的數據集，計算包含上述特征量的預期值、相對于上述預期值的上述第一水準單元的水準單元偏差和相對于上述預期值的上述第二水準單元的水準單元偏差的信息；以及修正步驟，其基于在上述計算步驟中計算出的信息，修正上述第一水準單元中的上述第一參數或者上述第二水準單元中的上述第二參數。

發明效果

依照本發明，提供一種根據基片處理的狀態適當地控制各種參數的技術。

附圖說明

圖1是表示基片處理系統的概要結構的一個例子的示意圖。

圖2是表示涂敷顯影裝置的一個例子的示意圖。

圖3是表示檢查單元的一個例子的示意圖。

圖4是表示控制裝置的功能性結構的一個例子的框圖。

圖5是表示控制裝置的硬件結構的一個例子的框圖。

圖6是表示由控制裝置進行的控制的一個例子的流程圖。

圖7的(a)和圖7的(b)是用于說明膜厚的修正的一個例子的圖。

圖8是表示由控制裝置進行的單元偏差的計算方法的一個例子的流程圖。

圖9的(a)和圖9的(b)是表示檢查結果和單元偏差的計算結果的一個例子的圖。

圖10的(a)和圖10的(b)是表示檢查結果和單元偏差的計算結果的一個例子的圖。

圖11是表示單元偏差的計算結果的一個例子的圖。

圖12是表示單元偏差的計算結果的一個例子的圖。