[發(fā)明專利]高頻電源裝置以及高頻功率的輸出方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010964417.5
• 申請(qǐng)日: 2020-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN112564694A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 深野勝之;中森雄哉;板谷耕司;濱石悟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社達(dá)誼恒
• 主分類號(hào): H03L5/02
• 分類號(hào): H03L5/02;H03L7/00;H03K7/08;H05H1/24
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李逸雪

本發(fā)明提供高頻電源裝置以及高頻功率的輸出方法。提供能緩和高頻功率的急變的高頻電源裝置以及高頻功率的輸出方法。高頻電源裝置生成高頻信號(hào)，周期性地控制生成的高頻信號(hào)的振幅或相位，輸出基于振幅或相位被控制的高頻信號(hào)從而大小被控制的高頻功率。高頻電源裝置控制高頻信號(hào)的振幅或相位，使得高頻功率的大小在控制周期中的第1期間成為第1水平，在與第1期間不同的控制周期中的第2期間成為比第1水平低的第2水平。高頻電源裝置使第1期間的長(zhǎng)度相對(duì)于控制周期的長(zhǎng)度的比以及第2水平的至少一方漸減或漸增，并使第1水平漸增或漸減。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及對(duì)等離子處理裝置提供高頻功率的高頻電源裝置以及高頻功率的輸出方法。

背景技術(shù)

存在對(duì)半導(dǎo)體器件等的制造中所用的等離子處理裝置提供高頻功率的各種方式。在1個(gè)方式中，從第1電源對(duì)上部電極提供適合等離子的生成的比較高的頻率的高頻功率。進(jìn)而，從第2電源對(duì)下部電極提供適合被處理體中的等離子中的離子的吸引的比較低的頻率的高頻功率。

以下，將起效(ON)或高水平總括地稱作第1水平，將失效(OFF)或低水平總括地稱作第2水平。在專利文獻(xiàn)1中，規(guī)劃了抑制對(duì)被處理基板的充電損傷的技術(shù)。在該技術(shù)中，將第1電源的高頻功率以給定頻率振幅偏移調(diào)制成第1水平/第2水平，來縮短連續(xù)生成等離子的時(shí)間。由此抑制了對(duì)被處理基板的充電損傷。另外，將第2電源的高頻功率以第2頻率調(diào)制成第1水平/第2水平，來使被處理基板上的給定的膜的蝕刻進(jìn)展的時(shí)間斷續(xù)。由此減低了所謂的微觀負(fù)載效應(yīng)，能進(jìn)行高蝕刻速率(每小時(shí)的蝕刻量)下的蝕刻。

另一方面，按照所謂的配方來在各處理步驟對(duì)等離子狀態(tài)等的處理?xiàng)l件依次進(jìn)行切換。例如在使等離子間歇生成的情況下，使生成等離子的高頻功率的大小周期性地調(diào)制成第1水平/第2水平(參考專利文獻(xiàn)2)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：JP特開2015-90759號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：JP特開2013-214583號(hào)公報(bào)

但根據(jù)專利文獻(xiàn)1以及2公開的技術(shù)，高頻功率從無調(diào)制的狀態(tài)向被振幅偏移調(diào)制的狀態(tài)不連續(xù)地變化。另外，高頻功率的大小從第1水平以及第2水平向第3水平以及第4水平階梯狀變化。為此，有等離子中的離子、原子團(tuán)的產(chǎn)生條件急變而等離子變得不穩(wěn)定的可能性。

發(fā)明內(nèi)容

本公開鑒于相關(guān)的情況而提出，其目的在于，提供能緩和高頻功率的急變的高頻電源裝置以及高頻功率的輸出方法。

本公開的一個(gè)方案所涉及的高頻電源裝置具備：生成高頻信號(hào)的高頻生成部；周期性地控制所述高頻生成部所生成的高頻信號(hào)的振幅或相位的控制部；和輸出基于被所述控制部控制振幅或相位的高頻信號(hào)從而大小被控制的高頻功率的高頻輸出部，所述控制部控制所述高頻信號(hào)的振幅或相位，使得所述高頻輸出部所輸出的高頻功率的大小在控制周期中的第1期間成為第1水平，在與所述第1期間不同的所述控制周期中的第2期間成為比所述第1水平低的第2水平，所述控制部使所述第1期間的長(zhǎng)度相對(duì)于所述控制周期的長(zhǎng)度的比以及所述第2水平的至少一方漸減或漸增，所述控制部在使所述比以及所述第2水平的至少一方漸減的情況下，使所述第1水平漸增，使得所述高頻輸出部所輸出的高頻功率的平均值成為固定，所述控制部在使述比以及所述第2水平的至少一方漸增的情況下，使所述第1水平漸減，使得所述高頻輸出部所輸出的高頻功率的平均值成為固定。