[發(fā)明專利]一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置

在審

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• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN112033534A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 金華伏安光電科技有限公司
• 主分類號: G01J1/56
• 分類號: G01J1/56;G01J11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提供了一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，振源和固定部置于基底上，石墨烯層為條形，石墨烯層的兩端分別固定在振源和固定部上，壓電材料塊設置在石墨烯層上靠近所述固定部的一端，壓電材料塊與外部電路連接。應用時，待測太赫茲脈沖照射到石墨烯層上，產(chǎn)生光熱效應，從而改變石墨烯層的共振頻率，通過測量石墨烯層共振頻率的改變實現(xiàn)太赫茲脈沖能量的探測。因為石墨烯層的共振頻率與石墨烯層中的應力密切相關，所以本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)太赫茲脈沖能量的高靈敏度探測。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及太赫茲脈沖能量探測領域，具體涉及一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置。

背景技術(shù)

太赫茲脈沖在通訊和檢測中非常重要。太赫茲脈沖能量探測是太赫茲波應用的重要環(huán)節(jié)，目前缺乏高靈敏太赫茲脈沖能量探測手段。

發(fā)明內(nèi)容

為解決以上問題，本發(fā)明提供了一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，包括：基底、振源、固定部、石墨烯層、壓電材料塊；振源和固定部置于基底上，石墨烯層為條形，石墨烯層的兩端分別固定在振源和固定部上，壓電材料塊設置在石墨烯層上靠近所述固定部的一端，壓電材料塊與外部電路連接。

更進一步地，石墨烯層中設有孔洞。

更進一步地，孔洞為多個。

更進一步地，孔洞非周期性排列。

更進一步地，孔洞為圓形、方形或星形。

更進一步地，在基底上、石墨烯層的下方設有反射層。

更進一步地，反射層的反射系數(shù)大于0.99。

更進一步地，石墨烯層中石墨烯的層數(shù)少于10層。

更進一步地，固定部為絕緣材料。

更進一步地，固定部的高度大于振源的高度。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，包括：基底、振源、固定部、石墨烯層、壓電材料塊；振源和固定部置于基底上，石墨烯層為條形，石墨烯層的兩端分別固定在振源和固定部上，壓電材料塊設置在石墨烯層上靠近所述固定部的一端，壓電材料塊與外部電路連接。應用時，待測太赫茲脈沖照射到石墨烯層上，產(chǎn)生光熱效應，石墨烯層吸熱后絕熱膨脹，減少石墨烯層中的應力，從而改變石墨烯層的共振頻率，通過測量石墨烯層共振頻率的改變實現(xiàn)太赫茲脈沖能量的探測。因為石墨烯層的共振頻率與石墨烯層中的應力密切相關，所以本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)太赫茲脈沖能量的高靈敏度探測。此外，本發(fā)明通過測量石墨烯層力學上的共振頻率，確定太赫茲脈沖能量，裝置的成本低。

以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置的示意圖。

圖2是又一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置的示意圖。

圖3是再一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置的示意圖。

圖中：1、基底；2、振源；3、固定部；4、石墨烯層；5、壓電材料塊；6、孔洞；7、反射層。

具體實施方式

為進一步闡述本發(fā)明達成預定目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明的具體實施方式、結(jié)構(gòu)特征及其功效，詳細說明如下。

實施例1