[發明專利]一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置

在審

• 申請號: 202010962777.1
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN112033534A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 金華伏安光電科技有限公司
• 主分類號: G01J1/56
• 分類號: G01J1/56;G01J11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于，包括：基底、振源、固定部、石墨烯層、壓電材料塊；所述振源和所述固定部置于所述基底上，所述石墨烯層為條形，所述石墨烯層的兩端分別固定在所述振源和所述固定部上，所述壓電材料塊設置在所述石墨烯層上靠近所述固定部的一端，所述壓電材料塊與外部電路連接。

2.如權利要求1所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：所述石墨烯層中設有孔洞。

3.如權利要求2所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：所述孔洞為多個。

4.如權利要求3所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：所述孔洞非周期性排列。

5.如權利要求4所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：所述孔洞為圓形、方形或星形。

6.如權利要求5所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：在所述基底上、所述石墨烯層的下方設有反射層。

7.如權利要求6所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：所述反射層的反射系數大于0.99。

8.如權利要求1-7任一項所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：所述石墨烯層中石墨烯的層數少于10層。

9.如權利要求8所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：所述固定部為絕緣材料。

10.如權利要求9所述的基于光熱效應的太赫茲脈沖能量探測裝置，其特征在于：所述固定部的高度大于所述振源的高度。