[發(fā)明專(zhuān)利]一種氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶體管和顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010960576.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112242298B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卓恩宗;雍萬(wàn)飛;許哲豪;夏玉明;袁海江
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北海惠科光電技術(shù)有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L29/786;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市百瑞專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶體管和顯示面板，包括通入硅烷前驅(qū)體的步驟：在原子層沉積裝置中持續(xù)通入預(yù)設(shè)時(shí)間的硅烷前驅(qū)體，完成通入后停留預(yù)設(shè)時(shí)間；第一次通入惰性氣體的步驟：通入惰性氣體，持續(xù)吹掃預(yù)設(shè)時(shí)間；通入供氮前驅(qū)體的步驟：持續(xù)通入預(yù)設(shè)時(shí)間的供氮前驅(qū)體，完成通入后停留預(yù)設(shè)的時(shí)間；第二次通入惰性氣體的步驟：通入惰性氣體，持續(xù)吹掃預(yù)設(shè)時(shí)間；以及重復(fù)預(yù)設(shè)次數(shù)的通入硅烷前驅(qū)體的步驟、第一次通入惰性氣體的步驟、通入供氮前驅(qū)體的步驟和第二次通入惰性氣體的步驟，以形成氮化硅薄膜。解決液晶面板顯示出現(xiàn)暗點(diǎn)現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶體管和顯示面板。

背景技術(shù)

顯示面板近年來(lái)得到了飛速地發(fā)展和廣泛地應(yīng)用。就主流市場(chǎng)上的TFT-LCD(ThinFilm Transistor-LCD，薄膜晶體管液晶顯示屏)而言，包括陣列基板和彩膜基板，在陣列基板上形成薄膜晶體管，薄膜晶體管控制像素電極的開(kāi)關(guān)，薄膜晶體管打開(kāi)時(shí)，像素電極產(chǎn)生電壓，使得液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，顯示畫(huà)面。

在液晶面板的制作中，在形成薄膜晶體管時(shí)，鈍化層在刻蝕形成接觸孔洞時(shí)，容易出現(xiàn)鉆蝕(Passivation Undercut，PV Undercut)現(xiàn)象，在使用中可能導(dǎo)致液晶面板顯示出現(xiàn)暗點(diǎn)等問(wèn)題，導(dǎo)致液晶面板顯示異常。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的是提供一種氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶體管和顯示面板，解決液晶面板顯示出現(xiàn)暗點(diǎn)現(xiàn)象。

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種氮化硅薄膜的制作方法，包括：

通入硅烷前驅(qū)體的步驟：在原子層沉積裝置中持續(xù)通入預(yù)設(shè)時(shí)間的硅烷前驅(qū)體，完成通入后停留預(yù)設(shè)時(shí)間；

第一次通入惰性氣體的步驟：通入惰性氣體，持續(xù)吹掃預(yù)設(shè)時(shí)間；

通入供氮前驅(qū)體的步驟：持續(xù)通入預(yù)設(shè)時(shí)間的供氮前驅(qū)體，完成通入后停留預(yù)設(shè)的時(shí)間；

第二次通入惰性氣體的步驟：通入惰性氣體，持續(xù)吹掃預(yù)設(shè)時(shí)間；以及

重復(fù)預(yù)設(shè)次數(shù)的通入硅烷前驅(qū)體的步驟、第一次通入惰性氣體的步驟、通入供氮前驅(qū)體的步驟和第二次通入惰性氣體的步驟，以形成氮化硅薄膜。

可選的，所述硅烷前驅(qū)體持續(xù)通入的預(yù)設(shè)時(shí)間為0.01至0.03秒，完成通入后停留的預(yù)設(shè)時(shí)間為0.02至0.04秒。

可選的，所述第一次通入惰性氣體的步驟的惰性氣體持續(xù)吹掃預(yù)設(shè)時(shí)間為2至10秒。所述第二次通入惰性氣體的步驟的惰性氣體持續(xù)吹掃預(yù)設(shè)時(shí)間為15至25秒。

可選的，所述供氮前驅(qū)體持續(xù)通入的預(yù)設(shè)時(shí)間為3至8秒，完成通入后停留的預(yù)設(shè)時(shí)間為15至25秒。

可選的，所述重復(fù)通入硅烷前驅(qū)體的步驟、第一次通入惰性氣體的步驟、通入供氮前驅(qū)體的步驟和第二次通入惰性氣體的步驟的預(yù)設(shè)次數(shù)為400至600次。

可選的，所述氮化硅薄膜的制作方法包括：

通入硅烷前驅(qū)體的步驟：在原子層沉積裝置中通入0.02秒的硅烷前驅(qū)體，停留0.03秒；

第一次通入惰性氣體的步驟：通入惰性氣體，持續(xù)吹掃5秒；

通入供氮前驅(qū)體的步驟：通入5秒的供氮前驅(qū)體，停留20秒；

第二次通入惰性氣體的步驟：通入惰性氣體，持續(xù)吹掃20秒；以及

通入硅烷前驅(qū)體的步驟、第一次通入惰性氣體的步驟、通入供氮前驅(qū)體的步驟和第二次通入惰性氣體的步驟重復(fù)500次，以形成氮化硅薄膜。

本申請(qǐng)還公開(kāi)了一種薄膜晶體管，包括基底和依次形成在基底上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、鈍化層和透明電極層。