[發明專利]一種氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶體管和顯示面板

有效

• 申請號: 202010960576.8
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN112242298B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 卓恩宗;雍萬飛;許哲豪;夏玉明;袁海江
• 申請（專利權）人: 北海惠科光電技術有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/786;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括基底和依次形成在基底上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導體層、第二金屬層、鈍化層和透明電極層；

所述鈍化層包括形成在第二金屬層和半導體層上的第一氮化硅層、形成在第一氮化硅層上的第二氮化硅層和形成在第二氮化硅層上的第三氮化硅層，所述第一氮化硅層、第二氮化硅層和第三氮化硅層通過原子層沉積方法制成；

所述第一氮化硅層用SiN_x1形成、第二氮化硅層用SiN_x2形成和第三氮化硅層用SiN_x3形成，所述x1的取值大于x2和x3。

2.如權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述x1的取值范圍為1.21-1.31，x2的取值范圍為1.1-1.2，x3的取值范圍為1.0-1.2。

3.如權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，在形成第一氮化硅層的時候，使用的是N₂作為供氮前驅體；在形成第二氮化硅層的時候，使用的是NH₃作為供氮前驅體；在形成第三氮化硅層的時候，使用的是N₂+NH₃作為供氮前驅體。

4.一種顯示面板，其特征在于，包括上述權利要求1-3任意一項所述的薄膜晶體管。