[發明專利]基板固定裝置

在審

• 申請號: 202010959801.6
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN112530778A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 宮澤昌邦
• 申請（專利權）人: 新光電氣工業株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;宋曉寶

本發明提供一種基板固定裝置，其具有內部具備氣體供給部的底板和設置在所述底板上的靜電卡盤，所述靜電卡盤具備一個表面為吸附對象物的承載面的基體和貫穿所述基體的氣孔，氣體從所述氣體供給部經由所述氣孔被供給至所述承載面，所述氣孔具有從所述基體的所述承載面的相反側的表面向所述承載面側凹陷的第1凹部、從所述第1凹部的底面進一步向所述承載面側凹陷的第2凹部、及從所述第2凹部的底面貫穿至所述承載面的貫穿孔，多孔質體填充于所述第1凹部內的整個區域和所述第2凹部內的除了未填充區域之外的區域，所述未填充區域為從所述第2凹部的底面的與所述貫穿孔連通的位置向所述相反側的表面凹陷的凹部，所述凹部是與所述貫穿孔連通的空間。

技術領域

本發明涉及一種基板固定裝置。

背景技術

現有技術中，就制造IC、LSI等的半導體裝置時所使用的成膜裝置(例如，CVD裝置、PVD裝置等)或等離子蝕刻裝置而言，一般具有用于在真空處理室內對晶圓(wafer)進行高精度保持的載臺。

作為這樣的載臺，例如提出了一種藉由安裝在底板上的靜電卡盤(chuc k)對作為吸附對象物的晶圓進行吸附和保持的基板固定裝置。作為基板固定裝置的一例，可列舉出一種具有設置了用于對晶圓進行冷卻的氣體供給部的結構的裝置。氣體例如可經由底板內部的氣體流路和設置在靜電卡盤上的陶瓷多孔質體和/或貫穿孔而被供給至靜電卡盤的表面。

[專利文件1：(日本)特開2015－195346號公報

然而，在將基板固定裝置應用于等離子蝕刻裝置的情況下，當對晶圓進行蝕刻處理時靜電卡盤會發生異常放電，存在晶圓和/或等離子蝕刻裝置本身發生損壞的問題。

作為異常放電的應對方法，設置如上所述的陶瓷多孔質體也是有效的，但是本發明的發明人發現了，取決于多孔質體和貫穿孔的連接部分的結構，還存在多孔質體和貫穿孔的連接部分的近傍(附近)會發生異常放電的情況。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于，在基板固定裝置中對異常放電的發生進行抑制。

本基板固定裝置具有內部具備氣體供給部的底板和設置在所述底板上的靜電卡盤，所述靜電卡盤具備一個表面為吸附對象物的承載面的基體和貫穿所述基體的氣孔，氣體從所述氣體供給部經由所述氣孔被供給至所述承載面，其中，所述氣孔具有從所述基體的所述承載面的相反側的表面向所述承載面側凹陷的第1凹部、從所述第1凹部的底面進一步向所述承載面側凹陷的第2凹部、及從所述第2凹部的底面貫穿至所述承載面的貫穿孔，多孔質體填充在所述第1凹部內的整個區域和所述第2凹部內的除了未填充區域之外的區域內，所述未填充區域是從所述第2凹部的底面的與所述貫穿孔連通的位置向所述相反側的表面凹陷的凹部，所述凹部是與所述貫穿孔連通的空間。

根據所公開的技術，在基板固定裝置中可對異常放電的發生進行抑制。

附圖說明

圖1A和圖1B是對本實施方式的基板固定裝置進行簡略例示的剖面圖。

圖2是對多孔質體進行說明的圖。

圖3A至圖3C是本實施方式的基板固定裝置的制造步驟的例示圖(其1)。

圖4A和圖4B是本實施方式的基板固定裝置的制造步驟的例示圖(其2)。

圖5A至圖5C是比較例的基板固定裝置的靜電卡盤的例示圖。

圖6A和圖6B是比較例的基板固定裝置的制造步驟的例示圖。

其中，附圖標記說明如下：

1 基板固定裝置

10 底板

10a 上表面

10b 下表面