[發明專利]一種鉻硅化物靶材及其制備方法有效
| 申請號： | 202010959472.5 | 申請日： | 2020-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN112144024B | 公開（公告）日： | 2022-12-02 |
| 發明（設計）人： | 大巖一彥;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 | 申請（專利權）人： | 浙江最成半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;B22F3/15;B22F3/24 |
| 代理公司： | 寧波高新區永創智誠專利代理事務所(普通合伙) 33264 | 代理人： | 李鑫 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鉻硅化物靶材 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鉻硅化物靶材的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)將純度99.9％以上的Cr與Si進行混合，其中Cr含量20-55wt％，與之對應的Si含量則為45-80wt％，將混合物粉碎成平均粒徑10-100μm的粉末，使其均勻化；
(2)將混合后的粉末置于真空熱處理爐中，在溫度1000-1300℃的條件下，保持1-3小時，進行Cr和Si的反應，生成二硅化鉻化合物粉末，用此方式產生的粉末作為原材料的一部分；
(3)將步驟(1)和步驟(2)的混合原料粉末通過真空熱壓，在惰性氣體氣氛10-1000Pa下，于1200-1350℃和加壓力400-600kg/cm2下處理60-480分鐘，得到密度97％以上的一次燒結體；
(4)將一次燒結體通過熱等靜壓技術以100-160MPa、1250-1350℃，處理60-240分鐘，得到密度99％以上的二次燒結體；
(5)將二次燒結體通過真空熱處理爐進行1200-1300℃、60-240分鐘的退火處理，然后通過機械加工除去表層的氧化及變質層，得到氧含量小于500ppm且密度在99％以上的鉻硅化物靶材。
2.根據權利要求1所述的一種鉻硅化物靶材的制備方法，其特征在于：所述的惰性氣體為氫氣。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江最成半導體科技有限公司，未經浙江最成半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010959472.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
