[發(fā)明專利]一種鉻硅化物靶材及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010959472.5 | 申請日: | 2020-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN112144024B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 大巖一彥;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江最成半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;B22F3/15;B22F3/24 |
| 代理公司: | 寧波高新區(qū)永創(chuàng)智誠專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33264 | 代理人: | 李鑫 |
| 地址: | 312000 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鉻硅化物靶材 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種鉻硅化物靶材及其制備方法,特點是該CrSi靶材相對密度在99%以上,氧含量小于500ppm,其制備方法包括以下步驟:將純度99.9%以上的鉻和硅混合后粉碎成平均粒徑10?100μm的粉末;2)將混合后的粉末置于真空熱處理爐中反應(yīng)生成二硅化鉻化合物粉末,用此方式產(chǎn)生的粉末作為原材料的一部分;3)然后將步驟1)和步驟2)的混合原料粉末通過真空熱壓,在惰性氣體氣氛10?1000Pa下,于1200?1350℃和加壓力400?600kg/cm2下處理60?480分鐘,得到密度97%以上的燒結(jié)體;4)再通過熱等靜壓技術(shù)得到密度99%以上的燒結(jié)體;5)燒結(jié)體通過真空熱處理爐進行退火后,通過機械加工除去表層的氧化及變質(zhì)層得到鉻硅化物靶材,優(yōu)點是高純度、高密度化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種鉻硅化物靶材及其制備方法。
背景技術(shù)
用于半導(dǎo)體和電子電路的燒結(jié)鉻硅化物靶材,當(dāng)用于薄膜形成(如半導(dǎo)體和電子設(shè)備)時,為了減少粒子,需要高密度。然而,鉻和硅化合物制備鉻硅化物靶材,當(dāng)用燒結(jié)方法生產(chǎn)時,具有難以實現(xiàn)高密度的特性。這是Cr燒結(jié)過程中蒸發(fā)引起的熔點變化的一個因素。粒子的增加導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量下降,這是一個需要解決的問題。
現(xiàn)有的鉻硅化物(以下簡稱為CrSi)燒結(jié)材料是將鉻(Cr)粉末和硅(Si)粉末混合,通過真空熱壓機(以下簡稱為HotPress)將混合粉末燒結(jié)制成的。但是,在該方法中,由于CrSi不同的組成形式熔點也會發(fā)生變化,燒結(jié)時的溫度必須設(shè)定為不高于各組成形式的熔點。(例如1300℃以下)因燒結(jié)溫度低,相對密度在95%以下,難以得到高密度。另外,為了在低溫下獲得高密度,有使粉末細化的方法,但是Cr和Si通過細化,通過氧氣量增加而阻礙燒結(jié)性,從而難以得到高密度化。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高純度、高密度化的鉻硅化物靶材及其制備方法。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:一種鉻硅化物靶材,該CrSi靶材相對密度在99%以上,氧含量小于500ppm。
上述鉻硅化物靶材的制備方法,包括以下步驟:
(1)將純度99.9%以上的Cr與Si進行混合,其中Cr含量20-55wt%,與之對應(yīng)的Si含量則為45-80wt%,將混合物粉碎成平均粒徑10-100μm的粉末,使其均勻化;
(2)將混合后的粉末置于真空熱處理爐中,在溫度1000-1300℃的條件下,保持1-3小時,進行Cr和Si的反應(yīng),生成二硅化鉻化合物粉末,用此方式產(chǎn)生的粉末作為原材料的一部分;
(3)將步驟(1)和步驟(2)的混合原料粉末通過真空熱壓,在惰性氣體氣氛10-1000Pa下,于1200-1350℃和加壓力400-600kg/cm2下處理60-480分鐘,得到密度97%以上的一次燒結(jié)體;
(4)將一次燒結(jié)體通過熱等靜壓技術(shù)以100-160MPa、1250-1350℃,處理60-240分鐘,得到密度99%以上的二次燒結(jié)體;
(5)將二次燒結(jié)體通過真空熱處理爐進行1200-1300℃、60-240分鐘的退火處理,然后通過機械加工除去表層的氧化及變質(zhì)層,得到氧含量小于500ppm且密度在99%以上的鉻硅化物靶材。
所述的惰性氣體為氫氣。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明一種鉻硅化物靶材及其制備方法,在傳統(tǒng)的制造方法中,靶材氧量是600-1000ppm,但是根據(jù)本方法,靶材氧量可以減少到500ppm以下,且通過該制備方法得到高密度鉻硅化物靶材。
具體實施方式
以下結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。
實施例1:
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