[發明專利]晶片的處理方法和芯片測量裝置

在審

• 申請號: 202010959310.1
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN112530866A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 森俊;小林真;梅原沖人;田村一成
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

本發明提供晶片的處理方法和芯片測量裝置。該晶片在正面的由交叉的多條分割預定線劃分的各區域內分別形成有器件，該晶片的處理方法包含如下的步驟：晶片單元形成步驟，將帶粘貼在晶片的背面上并將帶的外周安裝于環狀框架，形成具有晶片、帶和環狀框架的晶片單元；分割步驟，將晶片沿著分割預定線分割而形成多個芯片(器件芯片)；拾取步驟，從晶片單元拾取芯片；和測量步驟，對通過拾取步驟而拾取的芯片進行測量。在實施拾取步驟之前，實施如下的判別步驟：分別對器件的特性進行檢查而判別出良好器件和不良器件并存儲判別結果。在測量步驟中，根據判別結果，在通過拾取步驟而拾取的器件芯片包含不良器件的情況下，將芯片破壞而測量抗彎強度。

技術領域

本發明涉及半導體晶片的處理方法。

背景技術

以往，已知半導體晶片的背面完工狀態、切割條件等會影響單片化的芯片的抗彎強度，在按照晶片的品種選定加工條件時預先測量芯片的抗彎強度及崩邊等，在測量值的基礎上選定最適的加工條件。在專利文獻1中，鑒于晶片的加工會影響芯片的抗彎強度，公開了用于不使抗彎強度降低的加工方法。

并且，抗彎強度的測量通過3點彎曲試驗來進行，但該3點彎曲試驗是按壓壓頭而破壞芯片的試驗，因此以往不使用作為產品的晶片而是使用仿制晶片來測量抗彎強度，參照該測量結果而進行作為產品的晶片的加工條件的選定。

專利文獻1：日本特開2009-094326號公報

目前，以車載半導體為中心而開始強調芯片(器件芯片)的跟蹤性(可追溯性)的重要性。即，要求預先按照每個芯片賦予ID，從而在組裝于產品的芯片產生不良情況時，能夠參照對該芯片實施的加工或該芯片的特性。

為了實現這樣的跟蹤性，需要預先記錄作為產品的芯片本身的特性、即作為產品的芯片所在的晶片本身的特性，而非記錄仿制晶片的抗彎強度等特性。

發明內容

本發明鑒于以上的問題，提供晶片的處理方法和芯片測量裝置，能夠獲得作為產品的芯片的抗彎強度等特性。

根據本發明的一個方式，提供晶片的處理方法，該晶片在正面的由交叉的多條分割預定線劃分的各區域內分別形成有器件，其中，該晶片的處理方法包含如下的步驟：晶片單元形成步驟，將帶粘貼在晶片的背面上并且將該帶的外周安裝于環狀框架，形成具有該晶片、該帶以及該環狀框架的晶片單元；分割步驟，在實施該晶片單元形成步驟之前或之后，將該晶片沿著該分割預定線分割而形成多個器件芯片；拾取步驟，在實施了該分割步驟和該晶片單元形成步驟之后，從該晶片單元拾取該器件芯片；以及測量步驟，對通過該拾取步驟而拾取的該器件芯片進行測量，在實施該拾取步驟之前，實施如下的判別步驟：對該器件的特性分別進行檢查而判別出良好器件和不良器件，并存儲判別結果，在該測量步驟中，根據該判別結果，在通過該拾取步驟而拾取的該器件芯片包含不良器件的情況下，將該器件芯片破壞而測量抗彎強度，在通過該拾取步驟而拾取的該器件芯片包含良好器件的情況下，對該器件芯片的崩邊、背面粗糙度以及側面粗糙度中的任意一個或多個進行測量。

另外，在本發明的一個方式中，有時還包含如下的收納步驟：在實施了該測量步驟之后，在通過該拾取步驟而拾取的該器件芯片包含良好器件的情況下，將該器件芯片收納于芯片收納件。

另外，根據本發明的另一方式，提供芯片測量裝置，其具有：控制器，其參照作為檢查對象的器件芯片為良好器件或不良器件的屬性信息；強度測量機構，其用于當該控制器識別出該器件芯片為不良器件的屬性信息時將該器件芯片破壞而測量抗彎強度；以及芯片觀察機構，其用于當該控制器識別出該器件芯片為良好器件的屬性信息時對崩邊、背面粗糙度以及側面粗糙度中的任意一個或多個進行測量。