[發明專利]晶片的處理方法和芯片測量裝置在審
| 申請號: | 202010959310.1 | 申請日: | 2020-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN112530866A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 森俊;小林真;梅原沖人;田村一成 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 處理 方法 芯片 測量 裝置 | ||
1.一種晶片的處理方法,該晶片在正面的由交叉的多條分割預定線劃分的各區域內分別形成有器件,其中,
該晶片的處理方法包含如下的步驟:
晶片單元形成步驟,將帶粘貼在晶片的背面上并且將該帶的外周安裝于環狀框架,形成具有該晶片、該帶以及該環狀框架的晶片單元;
分割步驟,在實施該晶片單元形成步驟之前或之后,將該晶片沿著該分割預定線分割而形成多個器件芯片;
拾取步驟,在實施了該分割步驟和該晶片單元形成步驟之后,從該晶片單元拾取該器件芯片;以及
測量步驟,對通過該拾取步驟而拾取的該器件芯片進行測量,
在實施該拾取步驟之前,實施如下的判別步驟:對該器件的特性分別進行檢查而判別出良好器件和不良器件,并存儲判別結果,
在該測量步驟中,根據該判別結果,在通過該拾取步驟而拾取的該器件芯片包含不良器件的情況下,將該器件芯片破壞而測量抗彎強度,在通過該拾取步驟而拾取的該器件芯片包含良好器件的情況下,對該器件芯片的崩邊、背面粗糙度以及側面粗糙度中的任意一個或多個進行測量。
2.根據權利要求1所述的晶片的處理方法,其中,
該晶片的處理方法還包含如下的收納步驟:在實施了該測量步驟之后,在通過該拾取步驟而拾取的該器件芯片包含良好器件的情況下,將該器件芯片收納于芯片收納件。
3.一種芯片測量裝置,其具有:
控制器,其參照作為檢查對象的器件芯片為良好器件或不良器件的屬性信息;
強度測量機構,其用于當該控制器識別出該器件芯片為不良器件的屬性信息時將該器件芯片破壞而測量抗彎強度;以及
芯片觀察機構,其用于當該控制器識別出該器件芯片為良好器件的屬性信息時對崩邊、背面粗糙度以及側面粗糙度中的任意一個或多個進行測量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





