[發明專利]微發光二極管芯片及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202010954485.3
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN114171648A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 姚志博;盛翠翠;董小彪;郭恩卿;夏繼業;王程功
• 申請（專利權）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/30;H01L33/32;H01L33/00;H01L27/15
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種微發光二極管芯片，其特征在于，所述微發光二極管芯片包括外延片和第一電極，所述外延片包括層疊設置的第一覆層和第一電流擴展層，所述第一覆層位于所述第一電流擴展層遠離所述第一電極的一側；所述第一電流擴展層包括與所述第一覆層接觸的接觸面，沿所述微發光二極管芯片的厚度方向，所述接觸面的投影位于所述第一覆層的投影內部；

所述第一電極與所述第一電流擴展層接觸設置。

2.根據權利要求1所述的微發光二極管芯片，其特征在于，所述第一電流擴展層包括多個塊狀結構，相鄰兩個所述塊狀結構之間存在間隙。

3.根據權利要求2所述的微發光二極管芯片，其特征在于，所述第一電流擴展層還包括位于所述多個塊狀結構與所述第一覆層之間的平坦結構。

4.根據權利要求2所述的微發光二極管芯片，其特征在于，所述第一覆層靠近所述第一電流擴展層的一側包括多個凸起結構；所述多個凸起結構與所述多個塊狀結構一一對應。

5.根據權利要求2所述的微發光二極管芯片，其特征在于，多個所述塊狀結構均勻分布。

6.根據權利要求1所述的微發光二極管芯片，其特征在于，所述第一電極的形狀與所述第一電流擴展層的形狀匹配。

7.根據權利要求1所述的微發光二極管芯片，其特征在于，所述外延片包括層疊設置的第二覆層、有源層、所述第一覆層及所述第一電流擴展層，所述微發光二極管芯片還包括第二電極，所述第二電極與所述第二覆層接觸設置；

優選地，所述第一電極為所述微發光二極管芯片的陽極，所述第二電極為所述微發光二極管芯片的陰極；

優選地，所述第二覆層包括多個凸起部，所述第二電極的形狀與所述凸起部的形狀匹配。

8.一種微發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

形成外延片，其中，所述外延片包括層疊設置的第一覆層和第一電流擴展層，所述第一覆層位于所述第一電流擴展層遠離第一電極的一側；所述第一電流擴展層包括與所述第一覆層接觸的接觸面，沿所述微發光二極管芯片的厚度方向，所述接觸面的投影位于所述第一覆層的投影內部；

形成與所述第一電流擴展層接觸的第一電極。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一電流擴展層包括多個塊狀結構，相鄰兩個所述塊狀結構之間存在間隙，所述第一覆層靠近所述第一電流擴展層的一側包括多個凸起結構；所述多個凸起結構與所述多個塊狀結構一一對應；

所述塊狀結構與所述凸起結構由一步刻蝕工藝形成。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括多個如權利要求1-7任一項所述的微發光二極管芯片和驅動背板；

所述驅動背板包括第一驅動電極，所述第一驅動電極與所述第一電極綁定。