[發明專利]微發光二極管芯片及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202010954485.3
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN114171648A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 姚志博;盛翠翠;董小彪;郭恩卿;夏繼業;王程功
• 申請（專利權）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/30;H01L33/32;H01L33/00;H01L27/15
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

本發明公開了一種微發光二極管芯片及其制備方法、顯示面板，所述微發光二極管芯片包括外延片和第一電極，所述外延片包括層疊設置的第一覆層和第一電流擴展層，所述第一覆層位于所述第一電流擴展層遠離所述第一電極的一側；所述第一電流擴展層包括與所述第一覆層接觸的接觸面，沿所述微發光二極管芯片的厚度方向，所述接觸面的投影位于所述第一覆層的投影內部；所述第一電極與所述第一電流擴展層接觸設置。本發明實施例能夠提高微發光二極管芯片的發光效率。

技術領域

本發明實施例涉及顯示技術，尤其涉及一種微發光二極管芯片及其制備方法、顯示面板。

背景技術

隨著微發光二極管芯片技術的不斷發展，微發光二極管顯示面板的應用越來越廣泛。

然而，現有的微發光二極管芯片在電流復合時存在大量的非輻射復合現象，使得微發光二極管芯片的發光效率較低，限制了微發光二極管顯示面板的進一步應用。

發明內容

本發明提供一種微發光二極管芯片及其制備方法、顯示面板，以減少微發光二極管芯片電流的非輻射復合，提高發光效率。

第一方面，本發明實施例提供了一種微發光二極管芯片，所述微發光二極管芯片包括外延片和第一電極，所述外延片包括層疊設置的的第一覆層和第一電流擴展層，所述第一覆層位于所述第一電流擴展層遠離所述第一電極的一側；所述第一電流擴展層包括與所述第一覆層接觸的接觸面，沿所述微發光二極管芯片的厚度方向，所述接觸面的投影位于所述第一覆層的投影內部；所述第一電極與所述第一電流擴展層接觸設置。在微發光二極管芯片側壁發生非輻射復合的電流較少，從而極大地減少了電流的非輻射復合，提高了發光效率。

可選地，所述第一電流擴展層包括多個塊狀結構，相鄰兩個所述塊狀結構之間存在間隙。一方面使得微發光二極管芯片更容易與轉移頭進行分離，從而提高巨量轉移的良率，另一方面還能夠使得微發光二極管芯片與驅動背板的綁定強度提高。

可選地，所述第一電流擴展層還包括位于所述多個塊狀結構與所述第一覆層之間的平坦結構。能夠降低電流傳輸的電阻，使得微發光二極管芯片的開啟電壓有所下降，降低微發光二極管芯片的功耗，進一步提高發光效率。

可選地，所述第一覆層靠近所述第一電流擴展層的一側包括多個凸起結構；所述多個凸起結構與所述多個塊狀結構一一對應。一方面使得微發光二極管芯片更容易與轉移頭進行分離，提高巨量轉移的良率，另一方面還能夠使得微發光二極管芯片與驅動背板的綁定強度得到較大程度的提高。

可選地，多個所述塊狀結構均勻分布。能夠使得有源層內部電流分布較為均勻，也能夠提高微發光二極管芯片與驅動背板電連接的穩定性。

可選地，所述第一電極的形狀與所述第一電流擴展層的形狀匹配。第一電極與焊柱接觸的面積較大，有效地降低接觸電阻，從而降低損耗，還能夠增加第一電極與焊柱電連接的穩定性，從而提高微發光二極管芯片發光顯示的穩定性。

可選地，所述外延片包括層疊設置的第二覆層、有源層、所述第一覆層及所述第一電流擴展層，所述微發光二極管芯片還包括第二電極，所述第二電極與所述第二覆層接觸設置；

優選地，所述第一電極為所述微發光二極管芯片的陽極，所述第二電極為所述微發光二極管芯片的陰極；

優選地，所述第二覆層包括多個凸起部，所述第二電極的形狀與所述凸起部的形狀匹配，能夠進一步提高微發光二極管芯片與驅動背板連接的穩定性。

第二方面，本發明實施例還提供了一種微發光二極管芯片的制備方法，所述方法包括：形成外延片，其中，所述外延片包括層疊設置的第一覆層和第一電流擴展層，所述第一覆層位于所述第一電流擴展層遠離所述第一電極的一側；所述第一覆層位于所述第一電流擴展層遠離所述第一電極的一側；所述第一電流擴展層包括與所述第一覆層接觸的接觸面，沿所述微發光二極管芯片的厚度方向，所述接觸面的投影位于所述第一覆層的投影內部；形成與所述第一電流擴展層接觸的第一電極。