[發(fā)明專利]晶片結(jié)晶定向的估測(cè)方法與系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010954376.1
• 申請(qǐng)日: 2020-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN112485290A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡伯宗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N25/20
• 分類號(hào): G01N25/20
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 李春秀

本發(fā)明實(shí)施例涉及晶片結(jié)晶定向的估測(cè)方法與系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一種方法包含：接收第一晶片；在所述第一晶片上界定第一區(qū)帶及第二區(qū)帶及多個(gè)第一區(qū)域；分別針對(duì)所述第一區(qū)帶及所述第二區(qū)帶界定多個(gè)第一區(qū)域及第二區(qū)域；將第一離子束投影到所述第一區(qū)域上且響應(yīng)于所述第一離子束而接收第一熱波；使所述第一晶片旋轉(zhuǎn)達(dá)一扭角；將第二離子束投影到所述第二區(qū)域上且響應(yīng)于所述第二離子束而接收第二熱波；及基于所述第一離子束及所述第二離子束以及所述第一熱波及所述第二熱波估測(cè)所述第一晶片的第一結(jié)晶定向角。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及晶片結(jié)晶定向的估測(cè)方法與系統(tǒng)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)行業(yè)已經(jīng)歷快速增長(zhǎng)。IC材料及設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已產(chǎn)生數(shù)代IC，其中每一代具有比前一代更小且更復(fù)雜的電路。為促進(jìn)先進(jìn)IC裝置，離子植入被廣泛用于將雜質(zhì)摻雜到工件(例如半導(dǎo)體晶片)中以形成N型或P型阱。在使用離子植入的情況下，更改工件中的雜質(zhì)量，以便將導(dǎo)電性引入到所述阱。所要雜質(zhì)材料可由離子源電離且加速以形成具有規(guī)定能量的離子束?？蓪㈦x子束引導(dǎo)到工件的前表面且穿透到工件的塊體中。所植入離子可圍繞晶片區(qū)域的深度分布，且離子的分布及濃度是可控的，例如通過調(diào)整植入角及射束能。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種方法包括：接收第一晶片；在所述第一晶片上界定第一區(qū)帶及第二區(qū)帶；分別針對(duì)所述第一區(qū)帶及所述第二區(qū)帶界定多個(gè)第一區(qū)域及第二區(qū)域；將第一離子束投影到所述第一區(qū)域上且響應(yīng)于所述第一離子束而接收第一熱波；使所述第一晶片旋轉(zhuǎn)達(dá)一扭角；將第二離子束投影到所述第二區(qū)域上且響應(yīng)于所述第二離子束而接收第二熱波；及基于所述第一離子束及所述第二離子束以及所述第一熱波及所述第二熱波估測(cè)所述第一晶片的第一結(jié)晶定向角。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種方法包括：在第一晶片上界定第一區(qū)帶及第二區(qū)帶；將第一離子束及第二離子束分別投影到所述第一區(qū)帶及所述第二區(qū)帶上；基于所述第一離子束及所述第二離子束估測(cè)所述第一晶片的第一結(jié)晶定向角；在第二晶片上界定第三區(qū)帶及第四區(qū)帶；將第三離子束及第四離子束分別投影到所述第三區(qū)帶及所述第四區(qū)帶上；基于所述第三離子束及所述第四離子束估測(cè)所述第二晶片的第二結(jié)晶定向角；及基于所述第一結(jié)晶定向角及所述第二結(jié)晶定向角估測(cè)第三晶片的第三結(jié)晶定向角。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種方法包括：接收多個(gè)晶片；估測(cè)所述多個(gè)晶片的結(jié)晶定向角；使所述多個(gè)晶片根據(jù)其結(jié)晶定向角分類為晶片群組；從所述晶片群組中的一者選擇至少一個(gè)晶片；及根據(jù)所述晶片群組中的所述一者的代表性結(jié)晶定向角對(duì)所述至少一個(gè)晶片執(zhí)行離子植入操作。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，從以下具體實(shí)施方式更好理解本揭露的方面。應(yīng)注意，根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)做法，各種構(gòu)件未按比例繪制。事實(shí)上，為使論述清楚，各種構(gòu)件的尺寸可任意增大或減小。

圖1A是展示根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體晶片的方法的示意圖。

圖1B是展示根據(jù)一些實(shí)施例的投影到半導(dǎo)體晶片上的離子束的示意圖。

圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的估測(cè)半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶定向角的方法的流程圖。

圖3是展示根據(jù)一些實(shí)施例的具有分割區(qū)帶的半導(dǎo)體晶片的表面的示意圖。

圖4是展示根據(jù)一些實(shí)施例的離子束投影的示意圖。

圖5是說明根據(jù)一些實(shí)施例的熱波強(qiáng)度對(duì)晶片傾斜角的示意圖。

圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的估測(cè)半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶定向角的方法的流程圖。

圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

圖8是根據(jù)一些實(shí)施例的實(shí)施結(jié)晶定向角估測(cè)方法的系統(tǒng)的示意圖。

具體實(shí)施方式