[發明專利]晶片結晶定向的估測方法與系統

在審

• 申請號: 202010954376.1
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN112485290A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 蔡伯宗
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G01N25/20
• 分類號: G01N25/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李春秀

1.一種方法，其包括：

接收第一晶片；

在所述第一晶片上界定第一區帶及第二區帶；

分別針對所述第一區帶及所述第二區帶界定多個第一區域及第二區域；

將第一離子束投影到所述第一區域上且響應于所述第一離子束而接收第一熱波；

使所述第一晶片旋轉達一扭角；

將第二離子束投影到所述第二區域上且響應于所述第二離子束而接收第二熱波；及

基于所述第一離子束及所述第二離子束以及所述第一熱波及所述第二熱波估測所述第一晶片的第一結晶定向角。

2.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第一離子束投影到所述第一區域上包括在不同時間將所述第一離子束中的每一者投影到所述第一區域中的每一者上且使所述第一晶片傾斜達相應第一傾斜角，其中所述第一傾斜角具有角度差。

3.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二離子束投影到所述第二區域上包括在不同時間將所述第二離子束中的每一者投影到所述第二區域中的每一者上且使所述第一晶片傾斜達相應第二傾斜角，其中所述第二傾斜角分離達第二差值。

4.根據權利要求1所述的方法，其中估測所述第一晶片的結晶定向角包括分別測量所述第一熱波及所述第二熱波的第一強度及第二強度。

5.一種方法，其包括：

在第一晶片上界定第一區帶及第二區帶；

將第一離子束及第二離子束分別投影到所述第一區帶及所述第二區帶上；

基于所述第一離子束及所述第二離子束估測所述第一晶片的第一結晶定向角；

在第二晶片上界定第三區帶及第四區帶；

將第三離子束及第四離子束分別投影到所述第三區帶及所述第四區帶上；

基于所述第三離子束及所述第四離子束估測所述第二晶片的第二結晶定向角；及

基于所述第一結晶定向角及所述第二結晶定向角估測第三晶片的第三結晶定向角。

6.根據權利要求5所述的方法，其進一步包括形成半導電鑄錠且切割所述半導電鑄錠以形成所述第一晶片、所述第二晶片及所述第三晶片。

7.根據權利要求5所述的方法，其中將第一離子束及第二離子束投影到所述第一區帶及所述第二區帶上進一步包括將所述第一離子束中的一者投影到所述第一區帶的第一區域上且將所述第二離子束中的一者投影到所述第二區帶的第二區域上，其中所述第一離子束中的所述一者及所述第二離子束中的所述一者具有相同能量及植入角。

8.一種方法，其包括：

接收多個晶片；

估測所述多個晶片的結晶定向角；

使所述多個晶片根據其結晶定向角分類為晶片群組；

從所述晶片群組中的一者選擇至少一個晶片；及

根據所述晶片群組中的所述一者的代表性結晶定向角對所述至少一個晶片執行離子植入操作。

9.根據權利要求8所述的方法，其進一步包括估測執行所述離子植入操作的植入器的植入角，其中根據所述植入角執行所述離子植入操作。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述多個晶片包含測試晶片，其中所述多個晶片的所述結晶定向角的所述估測包括在估測其余晶片的所述結晶定向角之前估測所述測試晶片的結晶定向角。