[發明專利]一種神經狀碳二氮材料及其制備方法在審
| 申請號: | 202010952065.1 | 申請日: | 2020-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN114162792A | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發明(設計)人: | 付永勝;揭斌勇;汪信;陳鵬;周焱;朱俊武;孫敬文;李雪蓮;潘書剛 | 申請(專利權)人: | 南京理工大學 |
| 主分類號: | C01B21/082 | 分類號: | C01B21/082 |
| 代理公司: | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人: | 鄒偉紅 |
| 地址: | 210094 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 神經 狀碳二氮 材料 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種神經狀碳二氮材料及其制備方法。所述的神經狀碳二氮材料在微觀上具有類神經結構,其中,類神經結構的長度范圍為1500nm?3500nm,寬度范圍為1000nm?2500nm。類神經結構中單個類神經元的類細胞體的長度范圍為150nm?350nm,寬度范圍為100nm?250nm,在單個類神經元中,類樹突結構長度范圍為100nm?250nm,類軸突結構長度范圍為300nm?550nm。這種神經狀碳二氮材料有著多孔、比表面積大,活性位點多以及結構穩定的特性。
技術領域
本發明涉及一種神經狀碳二氮材料及其制備方法,屬于納米材料制備領域。
背景技術
隨著當今世界社會經濟的蓬勃發展以及生活科技水平的不斷進步,人類對于可用材料的要求也越來越高,眾所周知,碳材料以其優異出眾的性能被廣泛應用到各個領域,尤其是在國家戰略性新興產業中的應用,21世紀也被稱為“碳時代”。石墨烯由于其獨特的二維晶體電子結構,可以廣泛應用于納米電子、氫儲存、電池和傳感器等領域,一經發現便成為了研究熱點。廣大研究者們對石墨烯材料展開了廣泛研究,同時也不斷致力于其他類石墨烯材料的研究與探索。C2N作為一種新型的類石墨烯材料,具有統一大小的孔隙,并且孔和苯環被芳香N原子包圍,在2015年由J. Mahmood和E. K. Lee成功制得 [Mahmood,Javeed, et al. “Nitrogenated holey two-dimensional structures”, Naturecommunications, 6 (2015) 6486.]。二維多孔的C2N材料和石墨烯的共軛π-電子結構不同,統一的孔和有序的N原子使得C2N具有合適的帶隙,約2 eV,這使得它在半導體應用方面具有良好的前景。這種二維多孔C2N晶體材料(C2N-h2D)具有類石墨烯結構,N原子的引入進一步改善碳材料的性能。但J. Mahmood和E. K. Lee方法制得的C2N通常為塊狀結構,且層間堆疊嚴重,比表面積小,嚴重限制了其應用。因此尋求合適的方法改性C2N非常有必要的。本發明通過SiO2球模板法制備納米材料,構建了一種具有大孔孔徑的神經狀碳二氮材料。
發明內容
本發明的目的在于提供一種具有大孔孔徑的神經狀碳二氮材料。
實現本發明目的的技術解決方案為:本發明公開了一種神經狀碳二氮材料及其制備方法。所述的神經狀碳二氮材料在微觀上具有類神經結構,其中,類神經結構的長度范圍為1500nm-3500nm,寬度范圍為1000nm-2500nm;類神經結構的單個類神經元中,類樹突結構長度范圍為100nm-250nm,類軸突結構長度范圍為300nm-550nm,類細胞體的長度范圍為150nm-350nm,寬度范圍為100nm-250nm。
較佳的,該神經狀碳二氮材料比表面積為28-60 m2/g。
上述神經狀碳二氮材料的制備方法,包括以下步驟:
第一步,氮氣氣氛下,將納米SiO2球、濃硫酸置于1-甲基-2-吡咯烷酮中,置于冰浴條件下;
第二步,氮氣氣氛下,將六氨基苯置于1-甲基-2-吡咯烷酮中,加入第一步冰浴下的反應液,攪拌均勻;
第三步,將環己六酮八水合物加入到第二步制得的反應液中,攪拌均勻,恢復室溫;
第四步,將第三步制得的反應液升溫至175±5 ℃,反應一段時間,冷卻至室溫;
第五步,洗滌、過濾、冷凍干燥;
第六步,第五步所得產物用氫氟酸溶液刻蝕去掉SiO2模板,洗滌、冷凍干燥;
第七步,第六步所得產物在450 ℃,氮氣氣氛下煅燒4h,降至室溫后,得到神經狀碳二氮材料。
較佳的,第一步中,納米SiO2球的粒徑為300-400nm。
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