[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010951166.7
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN113394289A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 大橋輝之;河野洋志;古川大
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/47;H01L29/06
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 于麗

1.一種半導體裝置，具備第1元件區域，所述第1元件區域包括：

第1導電型的第1半導體區域，包括第1部分區域、第2部分區域以及第3部分區域；

第1導電層，從所述第1部分區域向所述第1導電層的第2方向與從所述第2部分區域向所述第1部分區域的第1方向交叉；

第2導電層，在所述第2方向上，所述第3部分區域位于所述第2部分區域與所述第2導電層之間，所述第2導電層與所述第3部分區域肖特基接觸；

第2導電型的第2半導體區域，包括第1半導體部分，所述第1半導體部分在所述第2方向上位于所述第1部分區域與所述第1導電層之間；以及

所述第1導電型的第3半導體區域，所述第3半導體區域的至少一部分在所述第2方向上位于所述第1部分區域與所述第1半導體部分之間，所述第3半導體區域中的所述第1導電型的雜質的濃度高于所述第1部分區域中的所述第1導電型的所述雜質的濃度。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第3半導體區域中的所述第1導電型的所述雜質的所述濃度高于所述第3部分區域中的所述第1導電型的所述雜質的濃度。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具備第2元件區域，該第2元件區域包括晶體管和二極管中的至少任一方，

所述第1元件區域的至少一部分設置于所述第2元件區域的外側。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第1元件區域還包括所述第2導電型的第4半導體區域，

所述第4半導體區域在所述第2方向上設置于所述第1半導體部分與所述第1導電層之間，

所述第4半導體區域中的所述第2導電型的雜質的濃度高于所述第1半導體部分中的所述第2導電型的所述雜質的濃度。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

所述第1元件區域還包括第1化合物區域，

所述第1化合物區域設置于所述第4半導體區域與所述第1導電層之間，

所述第1導電層經由所述第1化合物區域與所述第4半導體區域電連接。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第1半導體區域還包括第4部分區域，

在所述第1方向上，所述第1部分區域位于所述第2部分區域與所述第4部分區域之間，

從所述第4部分區域向所述第3半導體區域的一部分的方向沿著所述第2方向。

7.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

所述第4半導體區域包括第1端及第2端，

從所述第1端向所述第2端的方向沿著所述第1方向，

所述第1端在所述第1方向上的位置位于所述第3部分區域在所述第1方向上的位置與所述第2端在所述第1方向上的位置之間，

所述第3半導體區域包括第3端及第4端，

從所述第3端向所述第4端的方向沿著所述第1方向，

所述第1端在所述第1方向上的所述位置位于所述第3端在所述第1方向上的位置與所述第4端在所述第1方向上的位置之間，

所述第2端在所述第1方向上的所述位置位于所述第1端在所述第1方向上的所述位置與所述第4端在所述第1方向上的所述位置之間。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，第2距離長于第1距離，所述第2距離是所述第2端在所述第1方向上的所述位置與所述第4端在所述第1方向上的所述位置之間的在所述第1方向上的距離，所述第1距離是所述第3部分區域與所述第2半導體區域之間的邊界在所述第1方向上的位置與所述第2端在所述第1方向上的所述位置之間的在所述第1方向上的距離。