[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010951166.7
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN113394289A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 大橋輝之;河野洋志;古川大
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/47;H01L29/06
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 于麗

本發明提供能夠減小特性變動的半導體裝置。根據實施方式，半導體裝置包括第1元件區域。第1元件區域包括第1～第3半導體區域、第1、第2導電層。第1半導體區域為第1導電型。第2導電層在第1半導體區域與第3部分區域肖特基接觸。第2半導體區域為第2導電型。第3半導體區域為第1導電型。第3半導體區域的至少一部分在第2方向上位于第1部分區域與第1半導體部分之間。第3半導體區域中的第1導電型的雜質的濃度高于第1部分區域中的第1導電型的雜質的濃度。

本申請基于日本發明專利申請2020-041890(申請日為2020年3月11日)，根據該申請享受優先權。本申請通過參照該申請而包括該申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及半導體裝置。

背景技術

在例如晶體管等半導體裝置中，期望特性變動小。

發明內容

本發明的實施方式提供能夠減小特性變動的半導體裝置。

根據本發明的實施方式，半導體裝置包括第1元件區域。第1元件區域包括第1半導體區域、第2半導體區域、第3半導體區域、第1導電層以及第2導電層。所述第1半導體區域包括第1部分區域、第2部分區域以及第3部分區域，為第1導電型。從所述第1部分區域向所述第1導電層的第2方向與從所述第2部分區域向所述第1部分區域的第1方向交叉。在所述第2方向上，所述第3部分區域位于所述第2部分區域與所述第2導電層之間。所述第2導電層與所述第3部分區域肖特基接觸。所述第2半導體區域包括所述第1半導體部分，為第2導電型。所述第1半導體部分在所述第2方向上位于所述第1部分區域與所述第1導電層之間。所述第3半導體區域為所述第1導電型。所述第3半導體區域的至少一部分在所述第2方向上位于所述第1部分區域與所述第1半導體部分之間。所述第3半導體區域中的所述第1導電型的雜質的濃度高于所述第1部分區域中的所述第1導電型的所述雜質的濃度。

根據上述結構的半導體裝置，能夠提供能夠減小特性變動的半導體裝置。

附圖說明

圖1是例示第1實施方式的半導體裝置的示意性剖視圖。

圖2的(a)及圖2的(b)是例示第1實施方式的半導體裝置的示意圖。

圖3是例示第1實施方式的半導體裝置的特性的示意性剖視圖。

圖4是例示第1實施方式的半導體裝置的示意性剖視圖。

圖5是例示半導體裝置的特性的曲線圖。

圖6是例示半導體裝置的特性的曲線圖。

圖7是例示實施方式的半導體裝置的示意圖。

圖8的(a)及圖8的(b)是例示半導體裝置的特性的曲線圖。

圖9的(a)及圖9的(b)是例示半導體裝置的特性的曲線圖。

圖10是例示半導體裝置的特性的曲線圖。

附圖標記

11～18…第1～第8半導體區域；11a～11h…第1～第8部分區域；12a、12b…第1、第2半導體部分；12p～12r…區域；15c、15d…第3、第4半導體部分；31～33…第1～第3導電層；41a、41b…第1、第2化合物區域；51、52…第1、第2電極；60…絕緣構件；110、119…半導體裝置；C1、C2…濃度；CC1～CC6…第1～第6條件；D1…肖特基勢壘二極管；D2…寄生pn二極管；D3…二極管；E1、E2…第1、第2元件區域；Ec…電子；GP…布線；Hc…空穴；IR…積分值；ISBD…電流；Id…漏極電流；Ie…電子電流；Ih…空穴電流；PId…參數；Tr1…晶體管；Vd…漏極電壓；b1～b3…第1～第3邊界；bf1…邊界；d1～d3…第1～第3距離；e1～e4…第1～第4端；p1、p2…峰值；pZ…位置；t12、t13…厚度

具體實施方式