[發明專利]一種倒裝紅光LED芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 202010950781.6
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN112038457B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 金釗;徐洲;馬英杰;蔡和勛;吳奇隆
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/22;H01L33/30;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種倒裝紅光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步驟：

S01、在臨時襯底上生長外延疊層，所述外延疊層至少包括沿生長方向依次堆疊的n-AlGaInP擴展層、n-AlInP限制層、有源層、p-AlInP限制層、p-GaP窗口層；

S02、在所述p-GaP窗口層表面沉積第一ITO層，用于解決因所述p-GaP窗口層太厚所導致的吸光；

S03、在所述第一ITO層上蒸鍍形成第一SiO2鍵合層；

S04、將永久襯底拋光并在表面沉積形成第二SiO2鍵合層后，將其與所述外延疊層進行鍵合；

S05、剝離所述臨時襯底；

S06、通過ICP刻蝕至部分所述p-GaP窗口層，形成發光臺面；

S07、在所述發光臺面的水平裸露面沉積形成第二ITO層，并裸露部分所述n-AlGaInP擴展層，用于解決因所述n-AlGaInP擴展層太厚所導致的吸光；

S08、在所述n-AlGaInP擴展層的裸露面蒸鍍形成第二電極；

S09、在所述p-GaP窗口層的裸露面蒸鍍形成第一電極；

S10、沉積形成一隔離層，所述隔離層覆蓋所述外延疊層背離所述永久襯底一側的裸露面；

S11、切割、裂片，取得LED芯片。

2.根據權利要求1所述的倒裝紅光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步驟S02包括：粗化所述p-GaP窗口層，并在所述p-GaP窗口層的粗化表面沉積所述第一ITO層。

3.根據權利要求1所述的倒裝紅光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步驟S11還包括對經切割、裂片所取得的LED芯片進行激光切割，使所述永久襯底通過激光切割形成斜側壁。

4.根據權利要求1所述的倒裝紅光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述永久襯底包括藍寶石襯底或SiC襯底。

5.根據權利要求1至4任意一項所述的倒裝紅光LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述n-AlGaInP擴展層及n-AlInP限制層之間設有DBR層。

6.一種倒裝紅光LED芯片，其特征在于，包括：

永久襯底；

外延疊層，所述外延疊層通過復合鍵合層鍵合形成于所述永久襯底的表面；所述復合鍵合層包括沿第一方向依次堆疊的第一SiO2鍵合層和第二SiO2鍵合層，所述第二SiO2鍵合層靠近所述永久襯底設置；所述第一SiO2鍵合層通過蒸鍍形成，所述第二SiO2鍵合層通過沉積形成；所述外延疊層至少包括沿第一方向依次堆疊的n-AlGaInP擴展層、n-AlInP限制層、有源層、p-AlInP限制層及p-GaP窗口層，且所述外延疊層的局部區域蝕刻至p-GaP窗口層的表面形成凹槽及發光臺面；所述第一方向垂直于所述永久襯底，并由所述外延疊層指向所述永久襯底；

第一ITO層，所述第一ITO層層疊于所述p-GaP窗口層背離所述p-AlInP限制層的一層表面，且所述第一SiO2鍵合層設置于所述第一ITO層背離所述p-GaP窗口層的一側表面；用于解決因所述p-GaP窗口層太厚所導致的吸光；

第二ITO層，所述第二ITO層沉積于所述發光臺面的水平表面并裸露部分所述n-AlGaInP擴展層，用于解決因所述n-AlGaI nP擴展層太厚所導致的吸光；

第一電極，所述第一電極層疊于所述p-GaP窗口層的裸露面；

第二電極，所述第二電極層疊于所述n-AlGaInP擴展層的裸露面；

隔離層，所述隔離層覆蓋所述外延疊層背離所述永久襯底一側的裸露面。

7.根據權利要求6所述的倒裝紅光LED芯片，其特征在于，所述第二SiO2鍵合層的粘附性大于所述第一SiO2鍵合層的粘附性。

8.根據權利要求6所述的倒裝紅光LED芯片，其特征在于，所述p-GaP窗口層具有粗化表面，所述第一ITO層層疊于所述粗化表面。

9.根據權利要求6所述的倒裝紅光LED芯片，其特征在于，所述永久襯底具有斜側壁。

10.根據權利要求6所述的倒裝紅光LED芯片，其特征在于，在所述n-AlGaInP擴展層及n-AlInP限制層之間設有DBR層。