[發明專利]封裝結構和封裝結構制作方法

有效

• 申請號: 202010950281.2
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN111933590B
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 何正鴻;鐘磊;李利
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L25/07;H01L23/498
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 張洋

1.一種封裝結構，其特征在于，包括基板、芯片和轉接組件；

所述轉接組件至少包括第一轉接板和第二轉接板，所述第一轉接板和所述第二轉接板采用硅片；所述第一轉接板包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面設有第一線路層，所述第二表面設有第二線路層，所述第二轉接板包括相對設置的第三表面和第四表面，所述第三表面設有第三線路層，所述第四表面設有第四線路層；

所述第一轉接板設于所述基板上，并與所述基板電連接；所述第二轉接板設于所述第一轉接板遠離所述基板的一側，所述芯片設于所述第二轉接板上，并與所述第二轉接板電連接；所述第一轉接板和所述第二轉接板之間設有導電柱，以使所述第一線路層、所述第二線路層、所述第三線路層和所述第四線路層電連接；所述第一轉接板和所述第二轉接板之間設有緩沖層；所述第一轉接板和所述第二轉接板上預留切割道，所述切割道處開設溝槽，所述溝槽內填充塑封料形成切割保護層，所述切割保護層的寬度大于所述切割道的寬度。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述導電柱包括第一導電件，所述第一導電件依次穿過所述第四線路層、所述第三線路層、所述緩沖層、所述第二線路層和所述第一線路層，且所述第一導電件分別與所述第一線路層、所述第二線路層、所述第三線路層和所述第四線路層電連接。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述導電柱還包括第二導電件和/或第三導電件，所述第二導電件用于連接所述第一線路層和所述第二線路層，所述第三導電件用于連接所述第三線路層和所述第四線路層；

和/或，所述導電柱還包括第四導電件，所述第四導電件穿過所述緩沖層，用于連接所述第一線路層與所述第三線路層，或用于連接所述第一線路層與所述第四線路層，或用于連接所述第二線路層與所述第三線路層，或用于連接所述第二線路層與所述第四線路層。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述轉接組件與所述基板之間設有膠層。

5.一種封裝結構制作方法，其特征在于，包括：

提供第一轉接板，所述第一轉接板包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面設有第一線路層，所述第二表面設有第二線路層；

提供第二轉接板，所述第二轉接板包括相對設置的第三表面和第四表面，所述第三表面設有第三線路層，所述第四表面設有第四線路層；

將所述第二轉接板層疊于所述第一轉接板上；所述第一轉接板和所述第二轉接板采用硅片；

在所述第一轉接板上設置緩沖膠，所述第二轉接板通過所述緩沖膠固定在所述第一轉接板上；固化所述緩沖膠，以使所述緩沖膠在所述第一轉接板和所述第二轉接板之間形成緩沖層；

在所述第一轉接板和所述第二轉接板上進行硅穿孔，以使所述第一線路層、所述第二線路層、所述第三線路層和所述第四線路層電連接；

在所述第二轉接板上貼裝芯片；在所述第一轉接板和所述第二轉接板上預留切割道；在所述切割道處開設溝槽，以使所述溝槽的寬度大于所述切割道的寬度；塑封體塑封所述芯片，并填充所述溝槽。

6.根據權利要求5所述的封裝結構制作方法，其特征在于，在所述第一轉接板和所述第二轉接板上進行硅穿孔的步驟包括：

在所述第一轉接板和所述第二轉接板上開設第一通孔，所述第一通孔依次穿過所述第四線路層、所述第三線路層、所述緩沖層、所述第二線路層和所述第一線路層；

在所述第一通孔內設置第一導電件，以使所述第一線路層、所述第二線路層、所述第三線路層和所述第四線路層電連接；

和/或，在所述第一轉接板上開設第二通孔，在所述第二通孔內設置第二導電件，以連接所述第一線路層和所述第二線路層；

在所述第二轉接板上開設第三通孔，在所述第三通孔內設置第三導電件，以連接所述第三線路層和所述第四線路層；

在所述第一轉接板和所述第二轉接板之間開設第四通孔，所述第四通孔穿過所述緩沖層，在所述第四通孔內設置第四導電件，以連接所述第一線路層與所述第三線路層，或連接所述第一線路層與所述第四線路層，或連接所述第二線路層與所述第三線路層，或連接所述第二線路層與所述第四線路層。